【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种纳米线沟道的制备方法及检测芯片。
技术介绍
1、场效应晶体管作为半导体
中常见的器件，其具有诸多优势。相较于传统传感器(例如采用电极的传感器)，将场效应晶体管应用于检测领域制备检测芯片，不仅可使得检测芯片具有极小的尺寸，还可提高其检测性能。
2、以应用于生物或环境检测的检测芯片为例，其具有类似于场效应晶体管的结构，包括设于衬底上的源端、漏端及前两者之间的沟道，并在沟道的表面设置探针用于与待检测样品结合通过电阻或电位的微小变化实现检测。但上述检测芯片的检测性能还可进一步提升。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种纳米线沟道的制备方法及检测芯片，提高纳米线沟道的表面积及提高检测芯片的性能。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供的纳米线沟道的制备方法，包括：
3、提供衬底，所述衬底表面上覆盖有绝缘层；
4、在所述绝缘层上形成若干间隔排列的导电线条；
5、执行离子轰击工艺移除所述导电线条...
【技术保护点】
1.一种纳米线沟道的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的纳米线沟道的制备方法，其特征在于，所述导电线条的材质包括硅和/或锗。
3.根据权利要求2所述的纳米线沟道的制备方法，其特征在于，所述导电线条的材质包括呈多晶结构的硅和/或锗。
4.根据权利要求2所述的纳米线沟道的制备方法，其特征在于，所述导电线条的材质包括掺杂导电离子的非晶硅。
5.根据权利要求1所述的纳米线沟道的制备方法，其特征在于，在采用轰击离子执行离子轰击工艺时，所述轰击离子的体积大于所述导电线条的离子的体积。
6.根据权利要求5...
【技术特征摘要】
1.一种纳米线沟道的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的纳米线沟道的制备方法，其特征在于，所述导电线条的材质包括硅和/或锗。
3.根据权利要求2所述的纳米线沟道的制备方法，其特征在于，所述导电线条的材质包括呈多晶结构的硅和/或锗。
4.根据权利要求2所述的纳米线沟道的制备方法，其特征在于，所述导电线条的材质包括掺杂导电离子的非晶硅。
5.根据权利要求1所述的纳米线沟道的制备方法，其特征在于，在采用轰击离子执行离子轰击工艺时，所述轰击离子的体积大于所述导电线条的离子的体积。
6.根据权利要求5所述的纳米线沟道的制备方法，其特征在于，执行离子...
【专利技术属性】
技术研发人员：王伯文，刘云珍，杨渝书，耿金鹏，刘洋，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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