纳米线沟道的制备方法及检测芯片技术

本发明专利技术提供了一种纳米线沟道的制备方法及检测芯片，所述纳米线沟道包括：提供衬底，衬底表面上覆盖有第一介质层；沉积第二介质层，在沉积第二介质层的过程中掺杂导电粒子且加入发泡组分，用以形成多孔导电层覆盖第二介质层，第二介质层的材质与第一介质层的材质不同；对多孔导电层执行图形化工艺，以形成若干纳米线沟道，纳米线沟道的外壁呈凹凸状。本发明专利技术，纳米线沟道的外壁呈凹凸状，利用其凹凸状的外部使纳米线沟道在相同尺寸的情况下，相对较平的外壁具有更大的表面积，并且还通过在沉积第二介质层过程中原位加入导电粒子及发泡组分，使得形成多孔导电层的工艺具有简约且可操作性强等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种纳米线沟道的制备方法及检测芯片。

技术介绍

1、场效应晶体管作为半导体
中常见的器件，其具有诸多优势。相较于传统传感器(例如采用电极的传感器)，将场效应晶体管应用于检测领域制备检测芯片，不仅可使得检测芯片具有极小的尺寸，还可提高其检测性能。

2、以应用于生物或环境检测的检测芯片为例，其具有类似于场效应晶体管的结构，包括设于衬底上的源端、漏端及前两者之间的沟道，并在沟道的表面设置探针用于与待检测样品结合通过电阻或电位的微小变化实现检测。但上述检测芯片的检测性能还可进一步提升。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种纳米线沟道的制备方法及检测芯片，提高纳米线沟道的表面积及提高检测芯片的性能。

2、为解决上述技术问题，本专利技术提供的纳米线沟道的制备方法，包括：

3、提供衬底，所述衬底表面上覆盖有第一介质层；

4、沉积第二介质层，在沉积所述第二介质层的过程中掺杂导电粒子且加入发泡组分，用以形成多孔导电层覆盖所述第二介质层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种纳米线沟道的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的纳米线沟道的制备方法，其特征在于，所述第二介质层包括低K介质和/或超低K介质。

3.根据权利要求1所述的纳米线沟道的制备方法，其特征在于，采用气相沉积工艺形成所述第一介质层和所述第二介质层，且所述第一介质层和所述第二介质层在同一工艺腔内原位形成。

4.根据权利要求1所述的纳米线沟道的制备方法，其特征在于，所述第一介质层的材质包括氧化硅，所述第二介质层的材质包括碳氧化硅、碳氢氧化硅或碳氮氧化硅中的一种或任几种。

5.根据权利要求1所述的纳米线沟道的制备方法，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种纳米线沟道的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的纳米线沟道的制备方法，其特征在于，所述第二介质层包括低k介质和/或超低k介质。

3.根据权利要求1所述的纳米线沟道的制备方法，其特征在于，采用气相沉积工艺形成所述第一介质层和所述第二介质层，且所述第一介质层和所述第二介质层在同一工艺腔内原位形成。

4.根据权利要求1所述的纳米线沟道的制备方法，其特征在于，所述第一介质层的材质包括氧化硅，所述第二介质层的材质包括碳氧化硅、碳氢氧化硅或碳氮氧化硅中的一种或任几种。

5.根据权利要求1所述的纳米线沟道的制备方法，其特征在于，沉积所述第一介质层的工艺温度大于或等于沉积所述第二介质层的工艺温度，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伯文，张文广，吴佳宏，刘洋，耿金鹏，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：