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本发明提供了一种纳米线沟道的制备方法及检测芯片，所述制备方法包括：提供衬底，衬底表面上覆盖有绝缘层；在绝缘层上形成若干间隔排列的导电线条；执行离子轰击工艺移除导电线条外壁的部分粒子，以在导电线条的外壁形成若干凹坑，以具有凹坑的导电线条作为纳...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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