MEMS磁场传感器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种MEMS磁场传感器及其制作方法，涉及MEMS磁场传感器技术领域，其中，MEMS磁场传感器包括衬底和耦合谐振器，衬底形成有空腔，并形成悬浮板；耦合谐振器包括电极组件和磁电复合薄膜，电极组件包括底电极层，底电极层贴合于衬底，悬浮板的两端均设置有锚点梁，锚点梁与底电极层连接，以使悬浮板悬于空腔上；磁电复合薄膜贴合于底电极层，耦合谐振器形成有应力释放孔，应力释放孔连通空腔。施加应力后，就会使得应力重新分布，将原本集中在某一区域的应力被分散到周围的材料中，从而降低局部的最大应力值，减少了应力集中现象，这样就能够有效释放残余应力，MEMS磁场传感器的残余应力更容易释放，进而大大提高了MEMS磁场传感器耦合制作良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及mems磁场传感器，特别涉及一种mems磁场传感器及其制作方法。

技术介绍

1、现有mems磁场传感器通过磁电复合薄膜中的磁致伸缩材料在外加磁场作用下产生的磁致伸缩，在压电材料上诱导应力或者应变，压电材料受此应力作用而产生一定的电效应，最终实现利用磁信号来产生和输出可测量的电信号，从而实现磁效应和压电效应的耦合，来检测磁场。

2、目前基于磁电复合薄膜的mems磁场传感器的检测灵敏度较低，距离理论检测极限差距较大，其主要优化方向在于耦合谐振器的耦合材料体系、耦合厚度和谐振结构，然而通过上述方法进行优化，可能会导致mems磁场传感器面临应力释放困难的问题，致使mems磁场传感器耦合制作良率较低。

3、因此，有必要提供一种新的mems磁场传感器及其制作方法以解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本专利技术的主要目的是提出一种mems磁场传感器及其制作方法，旨在改善现有技术中mems磁场传感器应力释放困难的技术问题。

2、为实现上述目的，根据本专利技术的一方面，本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MEMS磁场传感器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的MEMS磁场传感器，其特征在于，所述电极组件还包括顶电极层，所述磁电复合薄膜包括依次贴合的压电薄膜层和磁致伸缩薄膜层，所述压电薄膜层贴合于所述底电极层，所述顶电极层贴合于所述磁致伸缩薄膜层。

3.如权利要求1所述的MEMS磁场传感器，其特征在于，所述电极组件还包括顶电极层，所述磁电复合薄膜包括压电薄膜层和磁致伸缩薄膜层，所述压电薄膜层贴合于所述底电极层，所述顶电极层的两侧分别贴合于所述压电薄膜层和所述磁致伸缩薄膜层。

4.如权利要求1所述的MEMS磁场传感器，其特征在于，所述应力释放...

【技术特征摘要】

1.一种mems磁场传感器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的mems磁场传感器，其特征在于，所述电极组件还包括顶电极层，所述磁电复合薄膜包括依次贴合的压电薄膜层和磁致伸缩薄膜层，所述压电薄膜层贴合于所述底电极层，所述顶电极层贴合于所述磁致伸缩薄膜层。

3.如权利要求1所述的mems磁场传感器，其特征在于，所述电极组件还包括顶电极层，所述磁电复合薄膜包括压电薄膜层和磁致伸缩薄膜层，所述压电薄膜层贴合于所述底电极层，所述顶电极层的两侧分别贴合于所述压电薄膜层和所述磁致伸缩薄膜层。

4.如权利要求1所述的mems磁场传感器，其特征在于，所述应力释放孔的数量为两个，两个所述应力释放孔沿所述耦合谐振器的宽度方向间隔设置。

5.如权利要求1至4中任一项所述的mems磁场传感器，其特征在于，所述应力释放孔为方形孔，且沿所述耦合谐振器的长度方向延伸。

6.如权利要求1至4中任一项所述的mem...

【专利技术属性】
技术研发人员：关蒙萌，胡忠强，
申请(专利权)人：珠海多创科技有限公司，
类型：发明
国别省市：