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本发明公开了一种MEMS磁场传感器及其制作方法，涉及MEMS磁场传感器技术领域，其中，MEMS磁场传感器包括衬底和耦合谐振器，衬底形成有空腔，并形成悬浮板；耦合谐振器包括电极组件和磁电复合薄膜，电极组件包括底电极层，底电极层贴合于衬底，悬浮...
该专利属于珠海多创科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海多创科技有限公司授权不得商用。

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