半导体装置制造方法及图纸

本公开提供能抑制特性的劣化的半导体装置。半导体装置具备：基板(10)；第一晶体管单元，在基板上依次设有第一漏电极、第一栅电极以及第一源电极；第二晶体管单元，在基板上依次设有第二源电极、第二栅电极以及第二漏电极，相对于第一晶体管单元位于第一漏电极、第一栅电极以及第一源电极进行排列的方向上；栅极布线(23)，在第一源电极与第二源电极之间，与第一源电极和第二源电极邻接地设于基板上，该栅极布线与第一栅电极和第二栅电极电连接；第一覆盖金属层，电连接地设于第一源电极上，至少上部比第一源电极向栅极布线侧突出；以及第二覆盖金属层，电连接地设于第二源电极上，至少上部比第二源电极向栅极布线侧突出。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体装置。

技术介绍

1、已知在具有指状的源电极、栅电极以及漏电极的场效应晶体管(fet：fieldeffect transistor)中，在电极的延伸方向上配置多个具有源电极、栅电极以及漏电极的单位fet(例如专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2002－299351号公报

5、在专利文献1中，通过在电极的延伸方向上配置多个单位fet，能缩短单位fet中的栅电极的宽度。由此，能抑制栅极电阻。但是，将栅极焊盘与远离栅极焊盘的栅电极电连接的栅极布线与漏电极之间的寄生电容会变大，特性劣化。

技术实现思路

1、本公开是鉴于上述问题而完成的，其目的在于抑制特性的劣化。

2、本公开的一个实施方式是一种半导体装置，其具备：基板；第一晶体管单元，在所述基板上依次设有第一漏电极、第一栅电极以及第一源电极；第二晶体管单元，在所述基板上依次设有沿着所述第一源电极并排设置且与所述第一源电极电连接的第二源电极、与所述第一栅电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，具备：

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，具备：

10.一种半导体装置，具备：

11.根据权利要求10所述的半导体装置，具备：<...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：丸山裕晃，
申请(专利权)人：住友电工光电子器件创新株式会社，
类型：发明
国别省市：