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本公开提供能抑制特性的劣化的半导体装置。半导体装置具备：基板(10)；第一晶体管单元，在基板上依次设有第一漏电极、第一栅电极以及第一源电极；第二晶体管单元，在基板上依次设有第二源电极、第二栅电极以及第二漏电极，相对于第一晶体管单元位于第一漏...
该专利属于住友电工光电子器件创新株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电工光电子器件创新株式会社授权不得商用。

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