【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及先进集成电路结构制造领域，并且具体涉及用于集成电路结构制造和所得结构的导电线方案领域。
技术介绍
1、过去几十年来，集成电路中的特征缩小一直是不断成长的半导体行业背后的驱动力。缩小到越来越小的特征实现了在半导体芯片的有限占用面积上的功能单元密度的增大。例如，缩减晶体管尺寸允许在芯片上包含增大数量的存储器装置或逻辑装置，从而促成了制造出具有增大容量的产品。然而，对越来越大的容量的驱动并非毫无问题。优化每个装置的性能的必要性变得越来越重要。
2、常规和当前已知制造工艺中的波动可能会限制将它们进一步扩展到15纳米节点或亚15纳米节点范围的可能性。因此，将来的技术节点所需要的功能部件制造可能要求在当前制造工艺中引入新技术或整合新技术，或者用新技术或整合的新技术取代当前制造工艺。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种集成电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述导电过孔包括从由W、Mo和Ru构成的组选择的金属。
3.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述导电衬垫包括从由Ta和Ti构成的组选择的金属。
4.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述导电阻挡物包括钽和氮。
5.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述导电填充物包括铜。
6.一种集成电路结构，包括：
7.根据权利要求6所述的集成电路结构，其中，所述多个导电线中的所述第二导电线在导电过孔上，所述...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述导电过孔包括从由w、mo和ru构成的组选择的金属。
3.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述导电衬垫包括从由ta和ti构成的组选择的金属。
4.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述导电阻挡物包括钽和氮。
5.根据权利要求1或2所述的集成电路结构，其中，所述导电填充物包括铜。
6.一种集成电路结构，包括：
7.根据权利要求6所述的集成电路结构，其中，所述多个导电线中的所述第二导电线在导电过孔上，所述导电过孔包括从由w、mo和ru构成的组选择的金属。
8.根据权利要求6或7所述的集成电路结构，其中，所述导电衬垫包括从由ta和ti构成的组选择的金属。
9.根据权利要求6或7所述的集成电...
【专利技术属性】
技术研发人员：L·P·古勒尔，V·蒂瓦里，A·S·乔杜里，C·H·华莱士，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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