【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光二极管结构，具体地，涉及一种可提升发光均匀度和发光效率的发光二极管结构。
技术介绍
1、近年来，发光二极管广泛地应用在照明、医疗和3c产品上。发光二极管芯片主要由不同的半导体材料制成，通过电流流过二种半导体材料的连接面，产生电致发光效应以将电能转化为光能，使得发光二极管芯片不但能发出高亮度的光线，更具节能省电功效。
2、发光二极管芯片在结构设计上，会在芯片表面设置金属电极，以与外部元件通过焊线电性连接。为了提升发光二极管芯片的发光均匀度，在芯片表面会额外设置与金属电极电性连接的延伸电极，通过延伸电极使电流传输至发光效率较低的区域，使得较多电流通过前述半导体材料的连接面而增强发光效果。然而，由于延伸电极具有一定宽度，使得前述半导体材料的发光面的一部分会受到不透光的金属电极和延伸电极遮蔽，进而缩减发光面的出光面积，如此将导致发光二极管芯片的发光效率降低或亮度衰减。
3、因此，如何设计出能改善前述问题的发光二极管结构，实为一个值得研究的课题。
技术实现思路>
1、本专利技本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光二极管结构，所述发光二极管结构包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其中，各个所述透明导电部与所述半导体发光结构之间呈现高接触阻抗或电性不导通。
3.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其中，各个所述透明导电部与所述半导体发光结构之间呈现低接触阻抗。
4.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其中，各个所述透明导电部由氧化锌、氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铟镓锌所构成。
5.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其中，所述主电极部、所述至少一个透明导电部和所述至少一个次电极部分别与所述半导体发光结构直接接触，...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管结构，所述发光二极管结构包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其中，各个所述透明导电部与所述半导体发光结构之间呈现高接触阻抗或电性不导通。
3.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其中，各个所述透明导电部与所述半导体发光结构之间呈现低接触阻抗。
4.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其中，各个所述透明导电部由氧化锌、氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铟镓锌所构成。
5.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其中，所述主电极部、所述至少一个透明导电部和所述至少一个次电极部分别与所述半导体发光结构直接接触，且各个所述透明导电部的一部分设置在所述主电极部与所述发光面之间。
6.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其中，所述主电极部、所述至少一个透明导电部和所述至少一个次电极部分别与所述半导体发光结...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴国祯，林坤德，马景时，
申请(专利权)人：台亚半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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