发光二极管外延片及其制备方法、LED技术

本发明专利技术涉及光电技术领域，公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型GaN层；所述应力释放层包括依次层叠的In<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1‑x</subgt;N/GaN超晶格层、高掺杂的N型GaN层、多量子阱结构层和不掺杂的Al<subgt;z</subgt;Ga<subgt;1‑z</subgt;N层，所述多量子阱结构层包括交替层叠的In<subgt;y</subgt;Ga<subgt;1‑y</subgt;N层和第一GaN层，其中，x的取值范围在0.01～0.2，y的取值范围在0.1～0.5，z的取值范围在0.01～0.2。本发明专利技术提供的发光二极管外延片提升二极管的发光效率，降低正反向漏电现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、led。

技术介绍

1、随着发光二极管各方面性能的提升，发光二极管已逐步取代了白炽灯作为新一代照明产品，并且在智能照明、建筑照明、通讯、安防等方面都有广泛的应用。以多量子阱结构为主要发光层的gan基发光二极管具有很高的辐射复合效率，成为近年来半导体领域的核心技术。其生长方式主要以两种不同禁带宽度的材料ingan/gan周期交替生长而成，ingan的禁带宽度相比gan更小，电子由n型半导体至p型半导体传输过程中，更容易限制在禁带宽度小的量子阱层中与空穴发生辐射复合。因此，ingan/gan多量子阱结构起到限制载流子提升辐射复合效率的作用。但由于ingan和gan晶格常数匹配性较差，产生较大的应变极化电场，导致能带倾斜严重，溢流现象严重加剧光效衰减。

2、为了减少晶格失配带来的压电极化效应，有效释放量子阱区的应力，通常在量子阱层之前先生长一段低in组分的ingan/gan量子阱准备层，或ingan/gan超晶格准备层。单纯的ingan/gan量子阱准备层或者ingan/gan超晶格准备层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型GaN层；

2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述应力释放层的厚度为100nm～800nm。

3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述InxGa1-xN/GaN超晶格层的厚度：高掺杂的N型GaN层的厚度：多量子阱结构层的厚度：不掺杂的AlzGa1-zN层的厚度＝(4～6)：1：(2～4)：1。

4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述InxGa1-xN/Ga...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂gan层、n型gan层、应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、p型gan层；

2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述应力释放层的厚度为100nm～800nm。

3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述inxga1-xn/gan超晶格层的厚度：高掺杂的n型gan层的厚度：多量子阱结构层的厚度：不掺杂的alzga1-zn层的厚度＝(4～6)：1：(2～4)：1。

4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述inxga1-xn/gan超晶格层包括交替层叠的inxga1-xn层和第二gan层，周期数为10～50。

5.如权利要求4所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述inxga1-xn层和第二gan层的厚度差不超过5nm。

【专利技术属性】
技术研发人员：高虹，郑文杰，舒俊，张彩霞，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：