【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及具有半超结结构的mosfet器件及其制造方法。
技术介绍
1、现代电力电子装置正朝着高功率密度和高效率的方向发展。碳化硅(sic)功率器件因其卓越的高压、高频、高温和高功率密度等器件特性，近年来在高效电能转换领域得到了迅速发展。
2、就结构上来说，碳化硅mosfet具有平面型和沟槽型两种。沟槽型功率mosfet器件具有集成度高、导通电阻低、开关速度快、开关损耗小等优点，因而几乎在低压和高压领域全面地替代了平面型功率mosfet器件，成为了相关应用的主流。
3、但随着应用领域的广泛扩展及设备性能的不断提升，人们对更低导通电阻的沟槽型功率mosfet器件的需求也越来越高。超结结构作为一种有效降低电场提高耐压的结构，如果应用于沟槽型功率mosfet则可以获得更低的栅氧化层电场强度和更低的导通电阻。
4、有鉴于此，需要提出一种改进的mosfet器件。
技术实现思路
1、本申请的实施例提供了一种具有半超结结构的mosfet器件及...
【技术保护点】
1.一种具有半超结结构的MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述衬底上自下而上依次形成N型层、P型层和以N型材料参杂的源区层包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中，刻蚀贯穿所述N型层、所述P型层和所述源区层的第一沟槽包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，刻蚀贯穿所述源区层的第二沟槽包括：
5.根据权利要求4所述的方法，还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述N型层的参杂浓度低于所述P型层的参杂浓度，并且所述P型层的参杂浓度低于所述源
【技术特征摘要】
1.一种具有半超结结构的mosfet器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述衬底上自下而上依次形成n型层、p型层和以n型材料参杂的源区层包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中，刻蚀贯穿所述n型层、所述p型层和所述源区层的第一沟槽包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，刻蚀贯穿所述源区层的第二沟槽包括：
5.根据权利要求4所述的方法，还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述n型层的参杂浓度低于所述p型层的参杂浓度，并且所述p型层的参杂浓度低于所述源区层的参杂浓度。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一p柱最窄处的宽度小于所述第二p柱最窄处的宽度。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一p柱的深度大于所述第二p柱的深...
【专利技术属性】
技术研发人员：柯行飞，李道会，
申请(专利权)人：蔚来动力科技合肥有限公司，
类型：发明
国别省市：
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