一种集成纵向器件的SOI半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种集成纵向器件的SOI半导体结构及其制造方法，所述方法包括：获取晶圆，晶圆包括衬底、衬底上的掩埋介质区及掩埋介质区上的顶部半导体层；图案化晶圆，将纵向器件区的衬底露出；在纵向器件区的侧面形成第一绝缘隔离部；在纵向器件区外延形成第一导电类型区；通过CMOS工艺在第一器件区形成CMOS器件主体、在纵向器件区形成第一阱区和第一源极区；第一阱区形成于第一导电类型区中，第一源极区形成于第一阱区中；在衬底的底部形成第一漏极区。本发明专利技术第二导电类型的耗尽区能够优化纵向器件的电场，使该耗尽区的面积减小，缩小芯片面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种集成纵向器件的soi半导体结构，还涉及一种集成纵向器件的soi半导体结构的制造方法。

技术介绍

1、bcd(bipolar-cmos-dmos)技术是一种单片集成工艺技术，能够在同一芯片上制作bipolar(双极晶体管)、cmos(金属氧化物半导体场效应管)和dmos器件(双扩散金属氧化物半导体场效应管)。通过该工艺制备的器件综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和cmos集成度高、低功耗的优点；同时dmos可以承载更大的电压，并且在开关模式下工作功耗极低，不需要昂贵的封装和冷却系统就可以将大功率传递给负载。这种技术已经广泛应用在汽车电子、电源管理、灯光照明和射频通信等领域。其中，负责功率部分的dmos是这类电路的核心，因为需要承载相对较大的电流电压，往往面积会占据整个面积的30％-90％，是整个集成电路的关键。

2、在示例性的bcd工艺中，dmos使用的是横向沟道的ldmos(横向双扩散金属氧化物半导体场效应管)。对于ldmos而言，需要漂移区承担耐压，因此对于耐压需求较高的器件，漂移区需要足够长以承本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成纵向器件的SOI半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的集成纵向器件的SOI半导体结构，其特征在于，所述隔离结构还包括第二绝缘隔离部，所述耗尽区位于所述第一绝缘隔离部和第二绝缘隔离部之间，所述第二绝缘隔离部的底部到达所述掩埋介质区，所述第一绝缘隔离部靠近所述第一导电类型区设置，所述第二绝缘隔离部靠近所述第二导电类型区设置。

3.根据权利要求1所述的集成纵向器件的SOI半导体结构，其特征在于，所述纵向器件是VDMOS器件，所述第一源极区和第一漏极区具有第一导电类型，所述第一漏极区的掺杂浓度大于所述衬底的掺杂浓度。>

4.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种集成纵向器件的soi半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的集成纵向器件的soi半导体结构，其特征在于，所述隔离结构还包括第二绝缘隔离部，所述耗尽区位于所述第一绝缘隔离部和第二绝缘隔离部之间，所述第二绝缘隔离部的底部到达所述掩埋介质区，所述第一绝缘隔离部靠近所述第一导电类型区设置，所述第二绝缘隔离部靠近所述第二导电类型区设置。

3.根据权利要求1所述的集成纵向器件的soi半导体结构，其特征在于，所述纵向器件是vdmos器件，所述第一源极区和第一漏极区具有第一导电类型，所述第一漏极区的掺杂浓度大于所述衬底的掺杂浓度。

4.根据权利要求1所述的集成纵向器件的soi半导体结构，其特征在于，所述第一器件主体是cmos器件的主体，所述第一器件主体包括：

5.根据权利要求4所述的集成纵向器件的soi半导体结构，其特征在于，所述cmos源极区、cmos漏极区及第一源极区位于所述soi半导体结构中的同一水平面。

6.根据权利要求1所述的集成纵向器件的soi半导体结构，其特征在于，所述第二绝缘隔离部为闭合环状结构，在横向上将所述第二导电类型区包围。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：林峰，许超奇，陈淑娴，孙伟锋，刘斯扬，卢丽，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：