温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及具有半超结结构的MOSFET器件及其制造方法，所述方法包括如下步骤：提供衬底，并在所述衬底上自下而上依次形成N型层、P型层和以N型材料参杂的源区层；刻蚀贯穿所述N型层、所述P型层和所述源区层的第一沟槽；沿所述第一沟槽注入P型材料，...
该专利属于蔚来动力科技（合肥）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过蔚来动力科技（合肥）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。