【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，特别涉及一种碳化硅器件制作方法。
技术介绍
1、碳化硅(sic)作为一种新型化合物半导体材料，相对于传统的硅(si)材料，具有禁带宽度大(si的三倍)，热导率高(si的三倍)，饱和电子漂移速度高(硅的两倍)和击穿场强高(si的八倍)等特点，尤其在功率器件市场，sic器件应用前景非常广阔。
2、但是，在sic功率器件的制作过程中，电极的制作工艺一直是重点和难点。引线或背面金属膜与碳化硅衬底之间需要保证足够牢度的接触，以形成可靠的欧姆接触。然而在实际的制造过程中，退火工艺会形成含碳的硅化物，其中，碳的形态可以是游离单质(包括碳的各种同素异形体如石墨、石墨烯等)，也可以是金属碳硅化物等多元化合物。这些可以统称为游离碳。游离碳的存在会影响引线或背面金属膜与碳化硅衬底(更明确地说，是含碳的硅化物)之间的欧姆接触的牢固度，从而可能造成引线或背面金属膜脱落，降低半导体器件的可靠性。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中的上述问题，本专利技术提供了一种碳化硅器件制作方法。
2、第本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种碳化硅器件制作方法，其特征在于，对需要制造欧姆接触的区域执行如下预处理步骤，包括：
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述前处理用于去除碳化硅表面的沾污和氧化物等物质，处理的方法包括化学腐蚀、化学清洗、干法刻蚀、离子铣，反溅射中的一种或任意组合。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的惰性气体包括氮气、氩气、氦气、氖气及其组合。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述超临界二氧化碳气氛为温度大于31.265℃，压力大于72.9个大气压的气氛，所述后处理退火包括常规加温退火、快速热退火、激光退火
<...【技术特征摘要】
1.一种碳化硅器件制作方法，其特征在于，对需要制造欧姆接触的区域执行如下预处理步骤，包括：
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述前处理用于去除碳化硅表面的沾污和氧化物等物质，处理的方法包括化学腐蚀、化学清洗、干法刻蚀、离子铣，反溅射中的一种或任意组合。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的惰性气体包括氮气、氩气、氦气、氖气及其组合。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述超临界二氧化碳气氛为温度大于31.265℃，压力大于72.9个大气压的气氛，所述后处理退火包括常规加温退火、快速热退火、激光退火及其组合。
5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在碳化硅表面的所述需要制造欧姆接触的区域内淀积金属膜中，所述金属膜的材料包括以下过渡金属中的至少一种：镍ni，钛ti，钼mo，钨w，钽ta，铌nb，钒v，铬cr，钴co，铂pt。
6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在碳化硅表面的所述需要制造欧姆接触的区域内淀积金属膜中，淀积方式包括蒸镀或溅射或化学反应等物理或化学气相沉积方式，淀积厚度为1纳米到1微米。
7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述后处理用于去除金属硅化物和碳化硅表面的沾污和氧化物，处理的方式包括化学腐蚀、化学清洗、干法刻蚀、离子铣，反溅射中的一种或任意组合。
8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在超临界二氧化...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈俭，
申请(专利权)人：上海瞻芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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