一种适用于高速信号接口电路和FinFet工艺的数模混合LDO制造技术

本发明专利技术的目的是提供一种适用于高速信号接口电路和FinFet工艺的数模混合LDO，该电路包括：模拟LDO模块、数字LDO模块和控制模块；所述模拟LDO模块与所述数字LDO模块和所述控制模块连接，用于输出稳定的电压；所述数字LDO模块与所述控制模块连接，用于当输出电压发生变化时，调节输出电压直至稳定；所述控制模块用于检测输出电压并控制数字LDO模块调节输出电压。本发明专利技术相对于传统模拟LDO具有能够适合低压工作，功耗较低的优点，并且瞬态响应更快，可以满足高速接口电路在高速读写过程中瞬态大电流的需求，相对于数字LDO具有电源抑制性好、可以满足PLL等高速电路模块对电源纹波的需求的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种适用于高速信号接口电路和finfet工艺的数模混合ldo。

技术介绍

1、‌finfet工艺是一种创新的互补式金属氧半导体（cmos）晶体管技术，它源自于传统标准的场效应晶体管（field-effect transistor, fet）的设计。‌ finfet全称为finfield-effect transistor，中文名为鳍式场效应晶体管，其命名源于晶体管的形状与鱼鳍的相似性‌。finfet工艺的主要创新在于其3d架构设计。传统晶体管结构中，控制电流通过的闸门只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。而在finfet架构中，闸门被设计成类似鱼鳍的叉状3d架构，可以在电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计大幅改善了电路控制，减少了漏电流，同时也大幅度缩短了晶体管的栅长‌。

2、ldo（low dropout regulator）是一种低压差线性稳压器。它是一种线性稳压器，使用在其线性区域内运行的晶体管或‌fet，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。ldo的主要特点是低压降，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种适用于高速信号接口电路和FinFet工艺的数模混合LDO，其特征在于，包括：模拟LDO模块、数字LDO模块和控制模块；

2.根据权利要求1所述的一种适用于高速信号接口电路和FinFet工艺的数模混合LDO，其特征在于，所述数字LDO模块包括：sink-DLDO模块和source-LDO模块；

3.根据权利要求2所述的一种适用于高速信号接口电路和FinFet工艺的数模混合LDO，其特征在于，所述sink-DLDO模块包括多个NMOS，所述source-LDO模块包括多个PMOS。

4.根据权利要求2所述的一种适用于高速信号接口电路和FinFet工...

【技术特征摘要】

1.一种适用于高速信号接口电路和finfet工艺的数模混合ldo，其特征在于，包括：模拟ldo模块、数字ldo模块和控制模块；

2.根据权利要求1所述的一种适用于高速信号接口电路和finfet工艺的数模混合ldo，其特征在于，所述数字ldo模块包括：sink-dldo模块和source-ldo模块；

3.根据权利要求2所述的一种适用于高速信号接口电路和finfet工艺的数模混合ldo，其特征在于，所述sink-dldo模块包括多个nmos，所述source-ldo模块包括多个pmos。

4.根据权利要求2所述的一种适用于高速信号接口电路和finfet工艺的数模混合ldo，其特征在于，所述控制模块包括：轻载驱动模块和重载驱动模块；

5.根据权利要求4所述的一种适用于高速信号接口电路和finfet工艺的数模混合ldo，其特征在于，所述重载驱动模块包括：死区控制模块、高边驱动模块、低边驱动模块、第一驱动钳位模块和第二驱动钳位模块；

6.根据权利要求4所述的一种适用于高速信号接口电路和finfet工艺的数模混合ldo，其特征在于，所述轻载驱动模块包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄子安，张冬青，
申请(专利权)人：中茵微电子南京有限公司，
类型：发明
国别省市：