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基于超低噪声宽带匹配网络的异质低噪声放大器制造技术

技术编号:43887287 阅读:20 留言:0更新日期:2025-01-03 13:03
本发明专利技术属于射频技术领域,具体涉及一种基于超低噪声宽带匹配网络的异质低噪声放大器。本发明专利技术输入端与低噪声输入匹配网络相连,采用三级共源放大结构,一级放大晶体管采用噪声性能优异的InP晶体管,一级放大晶体管和三级放大晶体管采用成本较低的SiGe工艺NXP BFU790F晶体管来提高增益,整体采用双电源供电网络。本发明专利技术放大器在工作频段绝对稳定,在常温下L波段(1GHz‑2GHz)实现了等效噪声温度平均为10K,增益为40dB,S11,S22<‑10dB的良好效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于射频,具体涉及一种基于超低噪声宽带匹配网络的异质低噪声放大器


技术介绍

1、低噪声放大器作为射频接收机的关键部件,对提升接收机灵敏度,提高信号接收距离具有重要意义,尤其对于提高无线通信信号接收质量,减少误码率,增强信号覆盖范围和可靠性,对于雷达系统提高目标检测和追踪精度,改善系统性能,对于提高射电天文射电望远镜灵敏度,提升对宇宙微弱信号的接收能力,支持天文学研究,揭示宇宙奥秘等具有重要意义,低噪声放大器的性能很大程度决定了接收机系统的整体性能。

2、宽带接收技术在提升数据传输速率、增强信号灵敏度、支持多频段通信、减少干扰、提高频谱效率和灵活性方面具有重要意义。因此宽带接收机已经成为现代通信系统、传感器网络、雷达系统和射电天文等领域的关键形式。因此,提升宽带低噪声放大器的性能具有重要意义。

3、目前常见的宽带低噪声放大器采用分立的电容,电感来作为输入,级间以及输出匹配,这使得为了达成宽带的匹配效果匹配网络较为复杂,因此引入了较大损耗,这将恶化低噪声放大器的噪声性能,因此,提出一种新型的低损耗宽带匹配方法对于进一步提升低本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于超低噪声宽带匹配网络的异质低噪声放大器,其特征在于,包括输入端、输出端、宽带微带超低噪声输入匹配网络、三级晶体管级联放大电路和宽带微带输出匹配网络,其中,所述微带超低噪声输入匹配网络以及分立电容电感的输入作为射频信号的输入端,电路将接收到的射频信号进行三级晶体管放大并经过所述输出端输出;所述宽带超低噪声输入匹配网络的异质低噪声放大器包括直流偏置电路、两种不同的晶体管、宽带低噪声匹配网络、宽带输出匹配网络,其中,采用双电源供电方式使得直流偏置电路分别与晶体管的栅极(G)和漏极(D)相连接,同时采用扼交电感阻断射频信号流入电源。

2.根据权利要求1所述的基于超低噪声宽...

【技术特征摘要】

1.一种基于超低噪声宽带匹配网络的异质低噪声放大器,其特征在于,包括输入端、输出端、宽带微带超低噪声输入匹配网络、三级晶体管级联放大电路和宽带微带输出匹配网络,其中,所述微带超低噪声输入匹配网络以及分立电容电感的输入作为射频信号的输入端,电路将接收到的射频信号进行三级晶体管放大并经过所述输出端输出;所述宽带超低噪声输入匹配网络的异质低噪声放大器包括直流偏置电路、两种不同的晶体管、宽带低噪声匹配网络、宽带输出匹配网络,其中,采用双电源供电方式使得直流偏置电路分别与晶体管的栅极(g)和漏极(d)相连接,同时采用扼交电感阻断射频信号流入电源。

2.根据权利要求1所述的基于超低噪声宽带匹配网络的异质低噪声放大器,其特征在于,三级晶体管级联放大电路包括:一级放大晶体管,为inp晶体管。

3.根据权利要求1所述的基于超低噪声宽带匹配网络的异质低噪声放大器,其特征在于,三级晶体管级联放大电路包括:二级放大晶体管和三级放大晶体管,均为sige晶体管。

4.根据权利要求2所述的基于超低噪声宽带匹配网络的异质低噪声放大器,其特征在于,双电源供电方式提供四个偏压,一级放大晶体管的栅极连接到电源1上。

5.根据权利要求2所述的基于超低噪声宽带匹配网络的异质低噪声放大器,其特征在于,二级放大晶体管和三级放大晶体管的栅极共同连接到电...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘海文刘文田洪亮
申请(专利权)人:大连大学
类型:发明
国别省市:

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