【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及显示技术。尤其涉及一种led芯片及显示装置。
技术介绍
1、led芯片是led灯的核心组件,当led芯片通电时,led芯片中的空穴和电子在电场作用下复合,能量以光子的形式发出,形成光线。led灯被广泛应用于户内外显示屏、景观亮化照明、广告、交通指示等领域。
2、现有技术中,led芯片已经由3v芯片逐渐向6v、9v、12v、18v等高压芯片发展。led高压芯片的制备过程中,首先在衬底上形成外延层,随后通过刻蚀工艺在外延层上刻蚀出沟道,这样,外延层变为多个被沟道分割的晶胞。相邻晶胞之间形成“凹”型结构;然后,通过在沟道内形成连接层,连接层将相邻两个晶胞电连接,以制备高压led芯片。
3、然而,现有的高压led芯片存在可靠性低的问题。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种led芯片及显示装置,提高了led芯片的可靠性,提高了显示装置的显示效果。
2、本申请第一方面提供一种led芯片,包括衬底、外延层、隔离层和电连接结构。外延层设置于衬底上。外
...【技术保护点】
1.一种LED芯片,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,所述隔离层背离所述衬底的表面不高于所述P型半导体层背离所述衬底的表面。
3.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,所述隔离层背离所述衬底的表面和所述P型半导体层背离所述衬底的表面为齐平。
4.根据权利要求2所述的LED芯片,其特征在于,所述第二沟道的边缘在所述N型半导体层所在面的正投影,围设于所述第一沟道的外周;
5.根据权利要求4所述的LED芯片,其特征在于,沿所述第一晶胞至所述第二晶胞的方向,所述隔离层的厚度逐渐增加。
>6.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种led芯片,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的led芯片,其特征在于,所述隔离层背离所述衬底的表面不高于所述p型半导体层背离所述衬底的表面。
3.根据权利要求1所述的led芯片,其特征在于,所述隔离层背离所述衬底的表面和所述p型半导体层背离所述衬底的表面为齐平。
4.根据权利要求2所述的led芯片,其特征在于,所述第二沟道的边缘在所述n型半导体层所在面的正投影,围设于所述第一沟道的外周;
5.根据权利要求4所述的led芯片,其特征在于,沿所述第一晶胞至所述第二晶胞的方向,所述隔离层的厚度逐渐增加。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的led芯片,其特征在于,所述电连接结构包括导电层和绝缘层,所述绝缘层和所述p型半导体层背离所述衬底的至...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙栋明,曹晓梅,赵丛印,
申请(专利权)人:海信视像科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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