一种LED芯片及显示装置制造方法及图纸

技术编号:43888234 阅读:34 留言:0更新日期:2025-01-03 13:04
本申请提供实施例属于显示技术,提供一种LED芯片及显示装置。LED芯片包括衬底、外延层、隔离层和电连接结构。外延层设置于衬底上。外延层包括层叠设置的N型半导体层和P型半导体层。N型半导体层位于衬底和P型半导体层之间。N型半导体层上设置有第一沟道。P型半导体层上设置有第二沟道。沿LED芯片的厚度方向,第一沟道暴露部分衬底;第二沟道暴露部分N型半导体层。第一沟道和第二沟道位置相互对应且连通,并将外延层分割为第一晶胞和第二晶胞。隔离层至少位于第一沟道中。隔离层背离衬底的表面不低于N型半导体层背离衬底的表面。电连接结构设置于隔离层背离衬底的表面。第一晶胞和第二晶胞由电连接结构电连接。本申请提高了LED芯片的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及显示技术。尤其涉及一种led芯片及显示装置。


技术介绍

1、led芯片是led灯的核心组件,当led芯片通电时,led芯片中的空穴和电子在电场作用下复合,能量以光子的形式发出,形成光线。led灯被广泛应用于户内外显示屏、景观亮化照明、广告、交通指示等领域。

2、现有技术中,led芯片已经由3v芯片逐渐向6v、9v、12v、18v等高压芯片发展。led高压芯片的制备过程中,首先在衬底上形成外延层,随后通过刻蚀工艺在外延层上刻蚀出沟道,这样,外延层变为多个被沟道分割的晶胞。相邻晶胞之间形成“凹”型结构;然后,通过在沟道内形成连接层,连接层将相邻两个晶胞电连接,以制备高压led芯片。

3、然而,现有的高压led芯片存在可靠性低的问题。


技术实现思路

1、本申请实施例提供一种led芯片及显示装置,提高了led芯片的可靠性,提高了显示装置的显示效果。

2、本申请第一方面提供一种led芯片,包括衬底、外延层、隔离层和电连接结构。外延层设置于衬底上。外延层包括层叠设置的n本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LED芯片,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,所述隔离层背离所述衬底的表面不高于所述P型半导体层背离所述衬底的表面。

3.根据权利要求1所述的LED芯片,其特征在于,所述隔离层背离所述衬底的表面和所述P型半导体层背离所述衬底的表面为齐平。

4.根据权利要求2所述的LED芯片,其特征在于,所述第二沟道的边缘在所述N型半导体层所在面的正投影,围设于所述第一沟道的外周;

5.根据权利要求4所述的LED芯片,其特征在于,沿所述第一晶胞至所述第二晶胞的方向,所述隔离层的厚度逐渐增加。>

6.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种led芯片,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的led芯片,其特征在于,所述隔离层背离所述衬底的表面不高于所述p型半导体层背离所述衬底的表面。

3.根据权利要求1所述的led芯片,其特征在于,所述隔离层背离所述衬底的表面和所述p型半导体层背离所述衬底的表面为齐平。

4.根据权利要求2所述的led芯片,其特征在于,所述第二沟道的边缘在所述n型半导体层所在面的正投影,围设于所述第一沟道的外周;

5.根据权利要求4所述的led芯片,其特征在于,沿所述第一晶胞至所述第二晶胞的方向,所述隔离层的厚度逐渐增加。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的led芯片,其特征在于,所述电连接结构包括导电层和绝缘层,所述绝缘层和所述p型半导体层背离所述衬底的至...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙栋明曹晓梅赵丛印
申请(专利权)人:海信视像科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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