一种多类MRAM阵列及其制备方法技术

本发明专利技术涉及磁存储领域，特别是涉及一种多类MRAM阵列及其制备方法，通过设置阵列导电基底；依次在所述阵列导电基底上设置缓冲层及第一介质层，得到图形化前置物；对所述图形化前置物进行多次单类MRAM阵列图形化设置，得到功能结构前驱体；对所述功能结构前驱体上的第二介质层进行光刻与刻蚀，得到介质图形层；以所述介质图形层为掩膜，对所述目标磁存储功能层进行刻蚀，得到MTJ单元阵列；对所述MTJ单元阵列的表面一次沉积保护膜及层间介质，再进行金属互联，得到所述多类MRAM阵列。本发明专利技术将不同种类的MRAM阵列对应的MTJ单元阵列的制作，集中到一起，无需将芯片在不同设备间反复移动，大大简化了工艺流程，提升生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁存储领域，特别是涉及一种多类mram阵列及其制备方法。

技术介绍

1、磁性随机存储器(mram)因为具有高速读写，高可靠性等优势，是有巨大潜力的新型存储器。

2、而目前，在mram芯片的制备过程中，基本上都是一个阵列(或一个芯片)只包括一种磁存储功能结构。但是在实际应用中，一个阵列(或一个芯片)可能存在多种应用场景，而不同的应用场往往要求mtj(磁隧道结)结构具有不同的特性，如耐回流焊，高耐擦写等，而由于mtj薄膜特性，同一种mtj同时兼顾多种特性，以实现靠单一种类的mtj完成多种应用功能的难度太大，而通过在同一芯片内设置多种特定mtj可以实现多应用需求。

3、近年来，对同一阵列(或同一芯片)上设置不同的mtj结构的手段，通常是预先划分不同区域，再在不同区域中逐一设置不同种类的mram阵列，每设置好一种mram阵列的mtj，便用掩膜层覆盖保护，再进行下一种mram阵列的设置，然而，这就导致设置灵活性较差，且需要将芯片在沉积设备、光刻设备、刻蚀设备中反复转移，流程繁琐，效率低下。

4、因此，如何提供一种灵活本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多类MRAM阵列的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的多类MRAM阵列的制备方法，其特征在于，所述对所述功能结构前驱体上的第二介质层进行光刻与刻蚀，得到介质图形层包括：

3.如权利要求1所述的多类MRAM阵列的制备方法，其特征在于，所述缓冲层为包括多个子层的复合缓冲层，与所述阵列导电基底接触的子层为应力过渡层，与所述第一介质层接触的子层为刻蚀选择层。

4.如权利要求3所述的多类MRAM阵列的制备方法，其特征在于，所述应力过渡层包括金属钽层、氮化钽层、金属钛层及氮化钛层中的至少一种。

5.如权利要求3所述的多类MRAM...

【技术特征摘要】

1.一种多类mram阵列的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的多类mram阵列的制备方法，其特征在于，所述对所述功能结构前驱体上的第二介质层进行光刻与刻蚀，得到介质图形层包括：

3.如权利要求1所述的多类mram阵列的制备方法，其特征在于，所述缓冲层为包括多个子层的复合缓冲层，与所述阵列导电基底接触的子层为应力过渡层，与所述第一介质层接触的子层为刻蚀选择层。

4.如权利要求3所述的多类mram阵列的制备方法，其特征在于，所述应力过渡层包括金属钽层、氮化钽层、金属钛层及氮化钛层中的至少一种。

5.如权利要求3所述的多类mram阵列的制备方法，其特征在于，所述刻蚀选择层为金属钌层。

6.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：申力杰，郑泽杰，杨丹丹，
申请(专利权)人：浙江驰拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：