发光器件、发光器件的制备方法以及电子设备技术

本申请公开一种发光器件、发光器件的制备方法以及电子设备，所述发光器件包括：相对设置的底电极与顶电极、设置于底电极与顶电极之间的发光层，以及设置于底电极与发光层之间的辅助层，辅助层包括层叠设置的第一辅助子层和第二辅助子层，第一辅助子层的材料包含Ag以及Cu中的一种或多种，第二辅助子层的材料包含第一金属氧化物以及第一碳材料中的一种或多种，有效改善了第一辅助子层被氧化而形成凸起的问题，从而改善因第一辅助子层形成凸起而导致漏电流增大的问题，进而有利于提升发光器件的器件寿命和性能稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光电，具体涉及一种发光器件、发光器件的制备方法以及电子设备。

技术介绍

1、发光器件是指一类通过载流子的注入和复合而发光的器件，包括但不限于是有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)和量子点发光二极管(quantum dotlight emitting diodes,qled)。发光器件具有“三明治”结构，即包括阳极、阴极以及发光层，其中，阳极与阴极相对设置，发光层设置于阳极与阴极之间。发光器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。

2、发光器件经过多年的发展，性能指标方面取得了巨大的进步，也展现出巨大的应用发展潜力，但是目前仍存在不足之处，例如发光器件的器件寿命有待进一步地提升。因此，如何进一步地提升发光器件的器件寿命对发光器件的应用与发展具有重要意义。

技术实现思路

1、本申请提供了一种发光器件、发光器件的制备方法以及电子设本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一金属氧化物中的金属元素选自Fe、Zn、Sn以及Al中的一种或多种；和/或

3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一辅助子层对所述第二辅助子层的厚度比为1：(0.1～0.5)。

4.根据权利要求1至3任一项中所述的发光器件，其特征在于，所述辅助层还包括第三辅助子层，所述第三辅助子层设置于所述第二辅助子层远离所述第一辅助子层的一侧；

5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述第一辅助子层、所述第二辅助子层以及所述第三辅助子层的厚度比...

【技术特征摘要】

1.一种发光器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一金属氧化物中的金属元素选自fe、zn、sn以及al中的一种或多种；和/或

3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一辅助子层对所述第二辅助子层的厚度比为1：(0.1～0.5)。

4.根据权利要求1至3任一项中所述的发光器件，其特征在于，所述辅助层还包括第三辅助子层，所述第三辅助子层设置于所述第二辅助子层远离所述第一辅助子层的一侧；

5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述第一辅助子层、所述第二辅助子层以及所述第三辅助子层的厚度比为1：(0.04～0.2)：(0.04～0.2)。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述顶电极和所述底电极的材料彼此独立地选自金属、第二碳材料以及第二金属氧化物中的一种或多种，所述金属选自al、ag、cu、mo、au、ba、pt、ca以及mg中的一种或多种，所述第二碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种，所述第二金属氧化物选自铟掺杂氧化锡、氟掺杂氧化锡、锑掺杂氧化锡、铝掺杂氧化锌、镓掺杂氧化锌、铟掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌及铝掺杂氧化镁的一种或多种；和/或

7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗强，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：