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本发明涉及磁存储领域，特别是涉及一种多类MRAM阵列及其制备方法，通过设置阵列导电基底；依次在所述阵列导电基底上设置缓冲层及第一介质层，得到图形化前置物；对所述图形化前置物进行多次单类MRAM阵列图形化设置，得到功能结构前驱体；对所述功能结...
该专利属于浙江驰拓科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江驰拓科技有限公司授权不得商用。

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