一种高集成度半导体封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种高集成度半导体封装结构及其制造方法。该结构包括：基板；高性能供电散热模块以及深沟槽电容器模块，所述高性能供电散热模块包含微流道；塑封层；重布线层；芯片模块，所述芯片模块包括第一芯片模块、第二芯片模块以及第三芯片模块；底部填充胶；微流道入口以及微流道出口，与所述微流道互连；焊球。本发明专利技术提供的高集成度半导体封装结构，在基板空腔中集成含微流道的高性能供电散热模块，芯片模块通过凸块、重布线层和微流道进行快速散热，显著提高散热能力；栅极驱动层和功率晶体管层通过硅通孔垂直互连，并与基板互连，显著提高电源供给效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种高集成度半导体封装结构及其制造方法。

技术介绍

1、人工智能和高性能计算等应用对带宽、存储、大功耗散热、大电源和电容去耦需求日益增长，当前常采用基于转接板的2.5d封装进行高性能芯片和hbm(h i gh bandwi dthmemory，高带宽内存)集成，但随着集成hbm数量增加和芯片性能逐渐提升，高性能芯片和hbm集成将受到转接板面积限制、d2d(d i e to d i e，芯片与芯片)高速互连限制、电源限制和散热能力限制。其中高性能芯片常采用在大功耗as i c顶部直接堆叠dram，因此对底部散热需求增加，而常规采用的散热盖、热沉和风冷散热等方式难以满足高性能芯片的高散热能力和散热效率需求。此外，为满足高性能芯片对带宽和存储的需求，需要与更多的hbm进行d2d高速互连，且满足对大电源和电源去耦需求。

技术实现思路

1、针对现有技术中的部分或全部问题，本专利技术提供一种高集成度半导体封装结构，该结构包括：

2、基板，所述基板包括基板底部、基板中部以及基板顶部本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高集成度半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的高集成度半导体封装结构，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的高集成度半导体封装结构，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的高集成度半导体封装结构，其特征在于，

5.一种高集成度半导体封装结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

6.根据权利要求5所述的高集成度半导体封装结构的制造方法，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的高集成度半导体封装结构的制造方法，其特征在于，

8.根据权利要求5所述的高集成度半导体封装结构的制造方法，...

【技术特征摘要】

1.一种高集成度半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的高集成度半导体封装结构，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的高集成度半导体封装结构，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的高集成度半导体封装结构，其特征在于，

5.一种高集成度半导体封装结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

6.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏鹏，徐成，孙鹏，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：