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本发明涉及一种高集成度半导体封装结构及其制造方法。该结构包括：基板；高性能供电散热模块以及深沟槽电容器模块，所述高性能供电散热模块包含微流道；塑封层；重布线层；芯片模块，所述芯片模块包括第一芯片模块、第二芯片模块以及第三芯片模块；底部填充胶...
该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。

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