晶圆抛光方法、抛光设备和存储介质技术

本申请实施例提供了一种晶圆抛光方法、抛光设备和存储介质。晶圆抛光方法包括：获取对晶圆进行抛光的抛光时间的第一取值范围、抛光头的抛光压力的第二取值范围和晶圆的目标去除量；根据第一取值范围和第二取值范围对预设的约束条件进行更新，获得目标约束条件；其中，约束条件用于约束抛光时间和抛光压力的范围；将抛光时间和抛光压力作为优化模型的待优化变量，至少将预测去除量与目标去除量的差异最小作为优化模型的优化目标，根据预设的去除率预测模型构建优化模型；基于目标约束条件和优化模型，确定抛光时间和抛光压力；根据确定出的抛光时间和抛光压力，控制抛光头对晶圆进行抛光。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及半导体制造，尤其涉及一种晶圆抛光方法、抛光设备和存储介质。

技术介绍

1、化学机械抛光(chemical mechanical polishing,cmp)是一种全局平坦化的超精密表面加工技术，可以使晶圆在化学和机械的共同作用下完成晶圆的化学机械抛光。

2、化学机械抛光过程容易受到设备耗材等因素影响，具有非线性、时变的特性且干扰不易测量。现有技术通常会构建线性回归模型，对化学机械抛光过程的晶圆变化进行模拟，从而控制抛光时间。但是，化学机械抛光过程属于较为复杂的非线性系统，使用线性回归模型无法准确拟合其中的非线性变化，导致现有技术控制抛光时间的控制精度会受到不利影响。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请实施例提供一种晶圆抛光方法、抛光设备和存储介质，以至少部分解决上述问题。

2、根据本申请实施例的第一方面，提供了晶圆抛光方法，包括：获取对晶圆进行抛光的抛光时间的第一取值范围、抛光头的抛光压力的第二取值范围和晶圆的目标去除量；根据所述第一取值范围和所述第二取值范围对预设的约本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆抛光方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述抛光头具有多个分区；

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述约束条件包括第一约束条件和第二约束条件；

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括所述子预测模型的训练步骤，包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述子预测模型的初始模型为多个，并且，多个所述初始模型分别为不同种类的机器学习模型的初始模型；

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述基于所述训练集对所述初始模型进行训练，获得每个所述初始模型...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆抛光方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述抛光头具有多个分区；

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述约束条件包括第一约束条件和第二约束条件；

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括所述子预测模型的训练步骤，包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述子预测模型的初始模型为多个，并且，多个所述初始模型分别为不同种类的机器学习模型的初始模型；

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述基于所述训练集对所述初始模型进行训练，获得每个所述初始模型对应的候选模型，包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述将所述样本集划分为训练集和验证集，包括：

8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述超参数包括第一超参数，所述第一超参数为各个所述初始模型共有的超参数；

9.根据权利要求4-7中任一项所述的方法，其特征在于，所述子预测模型的训练步骤还包括：对所述样本集进行预处理，所述预处理至少包括以下之一：数据清洗、归一化、特征构建和特征提取。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一评价指标包括以下至少之一：决定系数、均方误差和平均绝对误差；和/或，所述第一评价指标包括以下至少之一：决定系数、均方误差和平均绝对误差。

11.根据权利要求1、2、4-...

【专利技术属性】
技术研发人员：路新春，赵德文，邓雯心，靳富，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：