一种硒化银基复合室温热电材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硒化银基复合室温热电材料，其制备方法是，首先通过溶剂热反应和室温超声辅助法分别合成了多晶Ag<subgt;2</subgt;Se和纳米尺度的非晶Sb<subgt;2</subgt;S<subgt;3</subgt;，随后在室温下通过液相复合成功将非晶纳米Sb<subgt;2</subgt;S<subgt;3</subgt;均匀修饰于Ag<subgt;2</subgt;Se粉体表面，再结合放电等离子烧结技术，烧结压力为45MPa，烧结温度为300‑380℃，制备得到块体Ag<subgt;2</subgt;Se/Sb<subgt;2</subgt;(S,Se)<subgt;3</subgt;复合热电材料。该热电材料中，三元非晶Sb<subgt;2</subgt;(S,Se)<subgt;3</subgt;作为第二相增强了声子散射，显著降低了热导率，具有较高的功率因子，表现出优异的热电性能；在300K到390K的温度区间内，Ag<subgt;2</subgt;Se/Sb<subgt;2</subgt;(S,Se)<subgt;3</subgt;复合材料的平均ZT值高于1，显著优于纯相Ag<subgt;2</subgt;Se材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及热电材料，尤其是一种硒化银基复合室温热电材料及其制备方法。

技术介绍

1、物联网和可移动电子设备的发展使得自供电的电源、小型化的制冷元件以及快速响应的温度传感器等被大量需求。室温热电材料因有潜力作为这些关键电子元器件被广泛关注。此外，热电材料在对低品位废热回收上也表现出诱人的前景，这更激发了人们对高性能室温热电材料的研究。热电性能取决于热电优值，定义为zt＝s2σt/κ，其中s为seebeck系数，σ为电导率，κ为热导率，t为材料的绝对温度，s2σ也称为功率因子(pf)。高性能热电材料需要同时具备高功率因子和低热导率。

2、硒化银(ag2se)是一种n型窄带隙半导体，电子迁移率高，电性能良好，且具有超低的本征晶格热导率，在室温热电应用方面表现出良好的前景。通过掺杂/固溶，改变化学计量比，缺陷调控，复合第二相等手段可以有效提升ag2se的热电优值zt。其中，复合适当的第二相不仅可以优化材料的热电性能，还可以有效提高材料的机械性能。目前，已有多种材料被作为第二相引入ag2se中，例如碳纳米管、te、cuagse、agsbse2、aga本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硒化银基复合室温热电材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的硒化银基复合室温热电材料的制备方法，其特征在于，步骤S31中，Sb2S3粉体的用量占纯相Ag2Se粉体质量的0.1-0.6％。

3.如权利要求1所述的硒化银基复合室温热电材料的制备方法，其特征在于，步骤S31中，使用的酸性水为调节PH＝3的水溶液。

4.如权利要求1所述的硒化银基复合室温热电材料的制备方法，其特征在于，步骤S32中，真空干燥温度为50-70℃，干燥时间20-24h。

5.如权利要求1所述的硒化银基复合室温热电材料的制备方法，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种硒化银基复合室温热电材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的硒化银基复合室温热电材料的制备方法，其特征在于，步骤s31中，sb2s3粉体的用量占纯相ag2se粉体质量的0.1-0.6％。

3.如权利要求1所述的硒化银基复合室温热电材料的制备方法，其特征在于，步骤s31中，使用的酸性水为调节ph＝3的水溶液。

4.如权利要求1所述的硒化银基复合室温热电材料的制备方法，其特征在于，步骤s32中，真空干燥温度为50-70℃，干燥时间20-24h。

5.如权利要求1所述的硒化银基复合室温热电材料的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨磊，谭珊珊，王源，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：