基于Bi2O2Se材料的场效应晶体管生物传感器及制备方法与应用技术

本申请涉及生物传感技术领域，特别涉及一种基于Bi<subgt;2</subgt;O<subgt;2</subgt;Se材料的场效应晶体管生物传感器及制备方法与应用，该制备方法包括以下步骤：首先，制备Bi<subgt;2</subgt;O<subgt;2</subgt;Se材料，并将制备的Bi<subgt;2</subgt;O<subgt;2</subgt;Se材料转移到基底上；然后，在转移后的Bi<subgt;2</subgt;O<subgt;2</subgt;Se材料上刻蚀形成电极图形，并沉积电极材料以形成电极；采用光刻胶进行二次套刻保护电极，制得生物传感芯片；采用导电胶和金线连接电路板和电极，利用电学平台测试场效应晶体管的电学性能；最后，对制得的生物传感芯片进行功能化处理，并将功能化处理后的生物传感芯片连接至测试平台，进行生物分子检测。本申请提供的基于Bi<subgt;2</subgt;O<subgt;2</subgt;Se材料的场效应晶体管生物传感器的制备方法，采用Bi<subgt;2</subgt;O<subgt;2</subgt;Se作为沟道材料制备场效应晶体管生物传感器，实现了对抗原的高灵敏检测。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及生物传感，特别涉及一种基于bi2o2se材料的场效应晶体管生物传感器及制备方法与应用。

技术介绍

1、21世纪，进入信息时代。传感技术作为it行业最重要的技术基础之一，伴随着人们的需求也得到了迅速发展。其中，场效应晶体管(fet)生物传感器因其具有灵敏度高、使用便携、免标记检测等优点，被广泛应用于早期疾病诊断、药物发现与测试等领域。

2、传统的fet生物传感器是由厚度为100nm以上的三维(3d)半导体制成的沟道。然而外部环境刺激只会影响材料上表面的性能(例如，载流子密度)，导致材料的信号转换率低、检测灵敏度不够高。

3、目前，fet生物传感器的研究工作一直致力于用低维材料来取代3d沟道材料，二维材料具有高载流子迁移率、大比表面积、优良的柔韧性和力学性能、丰富的修饰位点等优点，在生物传感器领域得到了广泛的应用。其中，石墨烯具有优越的电子特性(大的载流子迁移率)、高柔韧性和生物相容性、大比表面积、易于化学功能化等优点，但由于石墨烯零带隙，石墨烯基生物传感器中的电流泄漏可能会增加，导致电流开关比较低，从而降低传感器的灵敏度，限本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于Bi2O2Se材料的场效应晶体管生物传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于Bi2O2Se材料的场效应晶体管生物传感器的制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积法在云母衬底上制备Bi2O2Se材料，并将制备的Bi2O2Se材料通过聚甲基丙烯酸甲酯湿法转移到基底上。

3.根据权利要求1所述的基于Bi2O2Se材料的场效应晶体管生物传感器的制备方法，其特征在于，所述制备Bi2O2Se材料，包括：

4.根据权利要求1所述的基于Bi2O2Se材料的场效应晶体管生物传感器的制备方法，其特征在于，在转移后的Bi2O2Se...

【技术特征摘要】

1.一种基于bi2o2se材料的场效应晶体管生物传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于bi2o2se材料的场效应晶体管生物传感器的制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积法在云母衬底上制备bi2o2se材料，并将制备的bi2o2se材料通过聚甲基丙烯酸甲酯湿法转移到基底上。

3.根据权利要求1所述的基于bi2o2se材料的场效应晶体管生物传感器的制备方法，其特征在于，所述制备bi2o2se材料，包括：

4.根据权利要求1所述的基于bi2o2se材料的场效应晶体管生物传感器的制备方法，其特征在于，在转移后的bi2o2se材料上刻蚀形成电极图形，并沉积电极材料以形成电极，包括：

5.根据权利要求1所述的基于bi2o2se材料的场效应晶体管生物传感器的制备方法，其特征在于，采用光刻胶进行二次套刻保护电极，制得生物传感芯片，...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛天宇，徐浩，柳忠元，聂安民，向建勇，牟从普，温福昇，王博翀，翟昆，
申请(专利权)人：燕山大学，
类型：发明
国别省市：