一种集成微流道的三维垂直供电结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种集成微流道的三维垂直供电结构及其制造方法。该结构包括：第一硅晶圆；栅极驱动层；第一重布线层；第一键合保护层；第二硅晶圆；功率晶体管层；第二重布线层；第二键合保护层；第一微流道；第二微流道；所述第一微流道和所述第二微流道互连，通过微流道入口和微流道出口实现冷却液的流入和流出；第一硅通孔；第二硅通孔；所述栅极驱动层和所述功率晶体管层通过所述第一硅通孔和所述第二硅通孔实现电连接。本发明专利技术提供的集成微流道的三维垂直供电结构，通过硅通孔对栅极驱动层和功率晶体管层进行垂直互连并供电，可以显著提升电源效率，在供电结构内集成微流道，可以对供电结构进行快速散热。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种集成微流道的三维垂直供电结构及其制造方法。

技术介绍

1、随着先进工艺节点不断演进，并且人工智能、数据中心和高性能计算应用对更大计算能力的需求快速增长，其中高性能处理器(例如图形处理单元gpu、中央处理器cpu、专用集成电路asic等)的功率不断上升，内核电压则不断下降。这些发展给供电带来很大挑战，例如对封装中的电源完整性有强烈的需求，包括需要管理因为电源分配网络(powerdelivery network，pdn)阻抗压降不断上升而引起大电流低电压处理器电源引脚间的电压梯度、瞬态性能规格以及功耗等难题。

2、现有技术通常采用在印刷电路板(printed circuit board，pcb)上布置电压调节模块(voltage regulator module，vrm)，并且通过多级pdn对芯片进行供电，但是从vrm流出的电流需要经过较长的互连路径到达芯片，pdn阻抗高而且损耗大。当高性能处理器负载电流需求较大时，pdn阻抗会导致电压的急剧下降和不可接受的传导损耗，从而严重限制处理器性能，降低系统能效。此外，由此本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成微流道的三维垂直供电结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的集成微流道的三维垂直供电结构，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的集成微流道的三维垂直供电结构，其特征在于，所述集成微流道的三维垂直供电结构的供电路径为：

4.一种集成微流道的三维垂直供电结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

5.根据权利要求4所述的集成微流道的三维垂直供电结构的制造方法，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的集成微流道的三维垂直供电结构的制造方法，其特征在于，

7.根据权利要求4所述的集成微流道的三维垂直供电结...

【技术特征摘要】

1.一种集成微流道的三维垂直供电结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的集成微流道的三维垂直供电结构，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的集成微流道的三维垂直供电结构，其特征在于，所述集成微流道的三维垂直供电结构的供电路径为：

4.一种集成微流道的三维垂直供电结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

5.根据权利要求4所述的集成微流道的三维垂直供电结构的制造方法，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：苏鹏，孙鹏，张文强，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：