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本发明涉及一种集成微流道的三维垂直供电结构及其制造方法。该结构包括：第一硅晶圆；栅极驱动层；第一重布线层；第一键合保护层；第二硅晶圆；功率晶体管层；第二重布线层；第二键合保护层；第一微流道；第二微流道；所述第一微流道和所述第二微流道互连，通...
该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。

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