参数存储方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质制造方法及图纸

本申请提供了一种参数存储方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，涉及微控制单元技术领域。该方法应用于MCU，MCU包括SRAM和Flash，Flash包括Page1和Page2，包括：响应于接收到参数存储指令，在SRAM中构造出待保存参数，待保存参数的数据结构包括起始标志、待保存数据、待保存数据的校验码和结束标志；依次向Page1和Page2中写入待保存参数。此种方式，可以避免额外增加备用电池，降低嵌入式硬件设备的硬件成本，避免需要专门占用MCU的引脚来通知MCU保存设备参数，增加了嵌入式硬件设备可用的MCU引脚资源。

【技术实现步骤摘要】

所属的技术人员能够理解，本申请的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此，本申请的各个方面可以具体实现为以下形式，即：完全的硬件实施方式、完全的软件实施方式(包括固件、微代码等)，或硬件和软件方面结合的实施方式，这里可以统称为“电路”、“模块”或“系统”。下面参照图11来描述根据本申请的这种实施方式的电子设备1100。图11显示的电子设备1100仅仅是一个示例，不应对本申请实施例的功能和使用范围带来任何限制。如图11所示，电子设备1100以通用计算设备的形式表现。电子设备1100的组件可以包括但不限于：上述至少一个处理单元1110、上述至少一个存储单元1120、连接不同系统组件(包括存储单元1120和处理单元1110)的总线1130。其中，所述存储单元存储有程序代码，所述程序代码可以被所述处理单元1110执行，使得所述处理单元1110执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本申请各种示例性实施方式的步骤。例如，所述处理单元1110可以执行上述方法实施例的如下步骤：s101～s102、s501～s502。存储单元1120可以包括易失性存储单元形式的可读介质，例如随机存取存本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种参数存储方法，其特征在于，应用于微控制单元MCU，所述MCU包括静态随机存取存储器SRAM和闪存Flash，所述Flash包括页Page1和Page2，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述SRAM中构造出待保存参数，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依次向所述Page1和所述Page2中写入所述待保存参数，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依次向所述Page1和所述Page2中写入所述待保存参数，包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

6...

【技术特征摘要】

1.一种参数存储方法，其特征在于，应用于微控制单元mcu，所述mcu包括静态随机存取存储器sram和闪存flash，所述flash包括页page1和page2，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述sram中构造出待保存参数，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依次向所述page1和所述page2中写入所述待保存参数，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依次向所述page1和所述page2中写入所述待保存参数，包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求5...

【专利技术属性】
技术研发人员：王为帅，
申请(专利权)人：天津奇陵东方科技有限公司，
类型：发明
国别省市：