【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体晶圆加工，特别是涉及一种解键合方法及解键合系统。
技术介绍
1、随着对于大规模集成、高密度封装的需求日渐提高，堆叠中所用各层芯片的厚度不可避免的需要被减薄，目前较为先进的叠层封装的芯片厚度都在100um以下，对于一些应用，硅晶片/芯片被后侧研磨并抛光到50um甚至更薄。虽然单晶硅具有非常高的机械强度，但在降低厚度的过程中，硅晶片的脆性会增加，减薄后的硅晶片在后续的加工过程中十分容易弯折或断裂，这对于自动化设备提出了较大的挑战。因此，为增强晶片在加工过程中的机械强度，需要将被加工的晶片粘着固定在基板上，并在晶片加工完成之后，再将晶片与基板进行剥离，将晶片与基板进行剥离的过程即为解键合过程。
2、由于激光解键合是无应力的解键合方式，能够大幅度地降低晶片破片的风险，因此可以大幅提升晶片解键合过程的成功率，提高良率。当晶片厚度愈来愈薄、线宽线距持续缩小，激光解键合的优势将更加明显。
3、传统技术中，通过实时检测晶片表面高度的方法，并根据高度检测结果调节机械运动轴的z轴的高度以调整激光焦点的位置，以对晶片进
<本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种解键合方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述边缘高度数据和所述中心高度数据对所述目标产品进行区域划分，得到至少一个高度分区，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标高度差对所述目标产品进行区域划分，得到至少一个高度分区，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制激光光束沿预设轨迹对各所述高度分...
【技术特征摘要】
1.一种解键合方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述边缘高度数据和所述中心高度数据对所述目标产品进行区域划分，得到至少一个高度分区，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标高度差对所述目标产品进行区域划分，得到至少一个高度分区，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈治贤，冯玙璠，陈万群，王正根，
申请(专利权)人：迈为技术珠海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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