一种双剂型铜钼钛蚀刻液及其制备方法技术

技术编号：43878022 阅读：29 留言：0更新日期：2024-12-31 19:00

本发明专利技术涉及蚀刻液技术领域，尤其涉及IPC C23F领域，更具体的，涉及一种双剂型铜钼钛蚀刻液及其制备方法。包括主剂和辅剂，按重量份计，所述主剂的组分包括：氧化剂8‑15份、第一有机酸4‑13份、第一无机酸1‑3份、第一有机碱1‑3份、第一表面活性剂1‑4份、第一含氟化合物0.05‑0.5份、第一缓蚀剂0.01‑1份、水60‑80份；所述辅剂的组分包括：第二有机酸10‑60份、第二无机酸2‑10份、第二有机碱1‑5份、第二含氟化合物0.05‑0.5份、第二表面活性剂1‑5份、第二缓蚀剂0.5‑2份、水50‑80份。解决了蚀刻液蚀刻过程中蚀刻率波动大、倒角、竖直角、有沉淀以及结晶等问题。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及蚀刻液，尤其涉及ipc c23f领域，更具体的，涉及一种双剂型铜钼钛蚀刻液及其制备方法。

技术介绍

1、随着显示技术的发展，尤其是显示技术向着大型化及高分辨率化的发展中，传统的金属导线会随着配线的变长，电阻的增加，从而放大信号延迟等问题，造成显示效果的退化。所以，开始了向使用电阻更低的金属配线的研发，即铜制程的研发。由于金属膜层组成不同，每种膜层的配比均不相同，所以蚀刻液为特制化学品。现有蚀刻剂中的主酸大多是柠檬酸、硝酸、磷酸、羟乙基磺酸、亚氨基二乙酸等，这些原料的单一使用均会出现蚀刻不良问题。

2、cn109136931a公开了一种高效铜钼蚀刻液，包括：所述蚀刻液的主要成分包括占蚀刻液总质量百分比为7～15％的过氧化氢、占蚀刻液总质量百分比为2～7％的调节剂、占蚀刻液总质量百分比为1～3％的稳定剂、占蚀刻液总质量百分比为3～10％的有机酸、占蚀刻液总质量百分比为0.001～1％的抑制剂以及占蚀刻液总质量百分比为1～10％的ph调节剂，余量为去离子水；该专利技术增强了对铜钼金属膜层的氧化能力，进一步加快了蚀刻反...

【技术保护点】

1.一种双剂型铜钼钛蚀刻液，其特征在于，包括主剂和辅剂，按重量份计，所述主剂的组分包括：氧化剂8-15份、第一有机酸4-13份、第一无机酸1-3份、第一有机碱1-3份、第一表面活性剂1-4份、第一含氟化合物0.05-0.5份、第一缓蚀剂0.01-1份、水60-80份；所述辅剂的组分包括：第二有机酸10-60份、第二无机酸2-10份、第二有机碱1-5份、第二含氟化合物0.05-0.5份、第二表面活性剂1-5份、第二缓蚀剂0.5-2份、水50-80份。

2.根据权利要求1所述的双剂型铜钼钛蚀刻液，其特征在于，所述氧化剂包括双氧水和过硫酸盐中的一种。