应用于TSV工艺中的刻蚀方法技术

本申请公开了一种应用于TSV工艺中的刻蚀方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有第一介质层，第一介质层上形成有第二介质层，第二介质层上形成有硬掩模层，硬掩模层上形成有第三介质层，硬掩模层由高介电常数材料构成，高介电常数材料是介电常数大于10的材料；在第三介质层上覆盖光阻，依次通过曝光和显影去除第一区域和第二区域的光阻，第一区域用于形成沟槽，第二区域用于形成通孔，第一区域的宽度大于第二区域的宽度；进行刻蚀，直至第一目标区域和第一目标区域的衬底暴露，在第一目标区域形成沟槽，在第二目标区域形成通孔，在刻蚀过程中，通过脉冲的方式供给射频偏置功率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件及集成电路，尤其涉及一种应用于tsv工艺中的刻蚀方法。

技术介绍

1、为了消除互补金属氧化物半导体图像传感器(complementary metal oxidesemiconductor contact image sensor，cis)中像素衍射的影响，提出了背照式互补金属氧化物半导体图像传感(backside illumination complementary metal-oxidesemiconductor contact image sensor，bsi cis)。在bsi cis的制作工艺中，通常使用高介电常数(high-k)材料(介电常数k大于10的材料，例如五氧化二钽(ta2o5))作为硅通孔(through silicon via，tsv)工艺的硬掩模(hard mask，hm)层。

2、tsv工艺中存在通孔(via)和沟槽(trench)两种不同的图形，在刻蚀过程中，通孔相对于沟槽来说具有更小的面积，刻蚀产生的刻蚀副产物(polymer)更难被抽出清除，堆积在通孔内阻止刻蚀的进行，从而容易造成通孔区域的高本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种应用于TSV工艺中的刻蚀方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层包括五氧化二钽层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述进行刻蚀，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一步刻蚀中的射频偏置功率大于所述第二步刻蚀中的射频偏置功率。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二步刻蚀中射频偏置功率的占空比为20％至70％。

6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述第一介质层和所述第三介质层包括二氧化硅层。

7.根据权利要求6所...

【技术特征摘要】

1.一种应用于tsv工艺中的刻蚀方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层包括五氧化二钽层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述进行刻蚀，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一步刻蚀中的射频偏置功率大于所述第二步刻蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨鑫，杜保田，任婷婷，姚智，姚道州，惠科石，王玉新，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：