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本申请公开了一种应用于TSV工艺中的刻蚀方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有第一介质层，第一介质层上形成有第二介质层，第二介质层上形成有硬掩模层，硬掩模层上形成有第三介质层，硬掩模层由高介电常数材料构成，高介电常数材料是介电常数大于10的材...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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