【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种光刻曝光方法。
技术介绍
1、半导体制造工艺中，光刻和刻蚀工艺得到广泛的应用，光刻的过程主要包括涂覆光刻胶层、对光刻胶层进行曝光和显影，以图案化该光刻胶层。
2、但是光刻来片的衬底有可能是平整或者凹凸起伏的。对于光刻形成图形的晶片，因来片起伏导致涂覆光刻胶层后晶片表面的高度出现高度差异，进而随后进行的曝光操作容易出现失焦的问题，不利于器件关键尺寸的均一性。
技术实现思路
1、本申请提供了一种光刻曝光方法，可以解决相关技术因晶片表面凹凸起伏而出现曝光失焦的问题。
2、为了解决
技术介绍
中涉及的技术问题，本申请提供一种光刻曝光方法，所述光刻曝光方法包括以下步骤：
3、提供半导体晶片，所述半导体晶片的表面制作形成光刻胶层；
4、确定所述半导体晶片的中心曝光区；
5、获取所述中心曝光区光刻胶层的起伏map图；
6、基于所述中心曝光区中光刻胶层的起伏map图，确定所述中心曝光区光刻胶层的对
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1.一种光刻曝光方法，其特征在于，所述光刻曝光方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于，所述分别确定所述第一起伏部分和第二起伏部分的最佳聚焦平面的步骤包括：
3.如权利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于，所述分别确定所述第一起伏部分和第二起伏部分的最佳聚焦平面的步骤包括：
4.如权利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于，所述以所述第一起伏部分的最佳聚焦平面对所述第一起伏部分位置处的光刻胶层进行曝光操作的步骤包括：
5.如权利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于，所述以所述第二起伏部分的最佳聚焦...
【技术特征摘要】
1.一种光刻曝光方法，其特征在于，所述光刻曝光方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于，所述分别确定所述第一起伏部分和第二起伏部分的最佳聚焦平面的步骤包括：
3.如权利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于，所述分别确定所述第一起伏部分和第二起伏部分的最佳聚焦平面的步骤包括：
4.如权利要求1所述的光刻曝光方法，其特征在于，所述以所述第一起伏部分的最佳聚焦平面对所述第一起伏部分位置处的光刻胶层进行曝光操作的步骤包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：王壮，宋振伟，张其学，樊航，王雷，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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