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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种光刻曝光方法。包括以下步骤:提供半导体晶片,半导体晶片的表面制作形成光刻胶层;确定半导体晶片的中心曝光区;获取中心曝光区光刻胶层的起伏map图;基于中心曝光区中光刻胶层的起伏map图,确定中...该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。
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