【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路，并且更特别地，涉及设计和形成包括用于集成电路的晶体管器件的单元。
技术介绍
1、在设计和形成集成电路结构中，标准单位单元库被开发有每个单位单元给定数量的晶体管。也可以在晶体管周围的互连层中使用多个信号轨道，以做出到各种晶体管元件的连接。随着器件和单位单元变得更小，设计信号轨道以正确路由各种信号变得越来越具有挑战性。因此，对于设计集成电路结构的各种单元的布局以改善ppa(功率、性能和面积)性能，仍然存在许多重要的挑战。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种集成电路结构，其包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：
3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其中第三金属层在第二金属层的至少一部分上方沿着第一方向延伸，并且其中第四金属层在第一金属层的至少一部分上方沿着第一方向延伸。
4.根据权利要求2或3所述的集成电路结构，还包括在第一栅极结构和第二栅极结构之间在第二方向上延伸的栅极切口。
5.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中第一单元和第二单元之间的边界在第二方向上沿着栅极切口延伸。
6.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中第三金属层在第一...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路结构，其包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：
3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其中第三金属层在第二金属层的至少一部分上方沿着第一方向延伸，并且其中第四金属层在第一金属层的至少一部分上方沿着第一方向延伸。
4.根据权利要求2或3所述的集成电路结构，还包括在第一栅极结构和第二栅极结构之间在第二方向上延伸的栅极切口。
5.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中第一单元和第二单元之间的边界在第二方向上沿着栅极切口延伸。
6.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中第三金属层在第一方向上在栅极切口的整个宽度上延伸，并且其中第四金属层在第一方向上在栅极切口的整个宽度上延伸。
7.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中第一通孔与栅极切口的第一侧相邻地对准，并且第二通孔与栅极切口的第二侧相邻地对准，第二侧沿着第一方向与第一侧相对。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的集成电路结构，其中第一方向正交于第二方向，并且第三方向正交于第一和第二方向二者。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的集成电路结构，其中第一通孔的中心和第二通孔的中心之间沿着第一方向的距离在大约16nm和大约36nm之间。
10.一种集成电路结构，其包括：
11.根据权利要求10所述的集成电路结构，其中第一体包括一个或多个第一半导体纳米带，并且第二体包括一个或多个第二半导体纳米带。
12.根据权利要求11所述的集成电路结构，其中一个或多个第一半导体纳米带和一个或多个第二半导体纳米带包括锗、硅或其任意组合。
13.根据权利要求10所述的集成电路结构，其中第二通孔中没有部分沿着第...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·耶门尼西奥卢，TH·吴，N·R·弗拉迪米罗维奇，A·克里希纳莫西，M·S·塔拉莱，汪新宁，Q·施，O·阿金，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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