本发明专利技术公开了一种CFET的门电路器件结构与工艺，涉及半导体技术领域，包括衬底，所述衬底的顶部通过绝缘层包裹有并联连接的N沟道场效应管和P沟道场效应管；N沟道场效应管与P沟道场效应管共用相同的源极S，N沟道场效应管与P沟道场效应管共用相同的漏极D；N沟道场效应管的栅极与P沟道场效应管的栅极互相分离，互相分离的栅极与栅极构成分离栅结构。本发明专利技术通过将原本平面的CMOS单元对折构成向上相互垂直堆叠的立体器件，同时采用介质隔离P型和N型场效应管器件的栅极构成分离栅结构，能够节省CFET集成的平面面积、提高集成密度、缩小沟道进程以及提高芯片精度，有利于保持电路性能和电路设计的灵活性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体为一种cfet的门电路器件结构与工艺。
技术介绍
1、互补场效应晶体管（complementary fet, cfet）作为一种堆叠式半导体器件，以其独特的垂直互补结构为集成电路的设计和制造带来了新的可能。cfet的结构设计有助于减少寄生效应，并能逐步提高半导体元件的性能和功率效率。结合适应性设计和背面供电等新技术，cfet有望在未来十年内成为可能接替环栅器件（gate-all-around, gaa）的先进制程。
2、cmos设计中，由于大多数p器件和n器件的栅极电信号相同，加上共栅结构的工艺简单，因此，在目前cfet的研究中，研究机构通常会使用共栅结构作为电路的基本单元来设计电路。即使p器件和n器件栅极信号不相同，也只需引入假栅（dummy gate，dg）和扩散中断（diffusion break, db）等结构即可。
3、然而，现有cfet引入假栅和扩散中断结构的方式容易使电路在一定程度上丧失电学性能和电路结构整体面积上的优势，不利于优化cfet器件的空间结构和电路功能。
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【技术保护点】
1.一种CFET的门电路器件结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种CFET的门电路器件结构，其特征在于：N沟道场效应管的栅极接收的控制信号为C，P沟道场效应管的栅极接收的控制信号为C’；所述控制信号C与控制信号C’为互补信号。
3.根据权利要求2所述的一种CFET的门电路器件结构，其特征在于：栅极与栅极之间形成有介质层，所述介质层隔离栅极与栅极间的电信号。
4.根据权利要求1所述的一种CFET的门电路器件结构，其特征在于：栅极与栅极自下而上间隔垂直堆叠，栅极与栅极交叉引出栅极信号。
5.一种CFET的门电路器件工艺，用于制造...
【技术特征摘要】
1.一种cfet的门电路器件结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种cfet的门电路器件结构，其特征在于：n沟道场效应管的栅极接收的控制信号为c，p沟道场效应管的栅极接收的控制信号为c’；所述控制信号c与控制信号c’为互补信号。
3.根据权利要求2所述的一种cfet的门电路器件结构，其特征在于：栅极与栅极之间形成有介质层，所述介质层隔离栅极与栅极间的电信号。
4.根据权利要求1所述的一种cfet的门电路器件结构，其特征在于：栅极与栅极自下而上间隔垂直堆叠，栅极与栅极交叉引出栅极信号。
5.一种cfet的门电路器件工艺，用于制造如权利要求1~4任一项所述的cfe...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱小娜，汤培顺，朱驰昂，
申请(专利权)人：上海集成电路制造创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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