【技术实现步骤摘要】
本技术特别涉及一种复合衬底及高亮度led外延片，属于光电子器件。
技术介绍
1、gan基发光二极管led具有寿命长、能耗低、体积小、可靠性高等优点，成为目前最有前景的照明光源，是先导照明技术的一个重要趋势；但依然存在发光强度和效率低的问题，进一步提高led的发光强度和光效是led照明技术发展的目标。
2、目前gan基半导体材料mocvd外延都是异质衬底上生长的外延技术，由于衬底与外延层间的晶格与热膨胀失配导致外延生长的晶体材料位错密度较高及应力较大，这些位错在器件工作时表现为非辐射复合中心而影响器件效率，同时引起漏电流增大而使器件迅速老化，影响器件的工作效率及寿命，制约了led高端照明显示领域的应用。
3、目前广泛采用的衬底图形化技术可以提高出光效率，所以如何利用图形化衬底技术进一步提高led的出光效率，成为行业研究的热点，对于led市场推广和应用具有重要的意义。
技术实现思路
1、本技术的主要目的在于提供一种复合衬底及高亮度led外延片，从而克服现有技术中的不足。
2、为本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种复合衬底，包括层叠设置的衬底和图形化介质层，所述衬底的表面具有由至少一个微凸起和/或微凹槽形成的图形结构，所述图形化介质层连续覆设在所述衬底的表面，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于：所述图形结构包括多个微凸起，多个所述微凸起间隔分布，相邻所述微凸起之间形成所述微凹槽，其中，所述微凸起的径向宽度沿远离所述衬底的方向逐渐减小。
3. 根据权利要求2所述的复合衬底，其特征在于：所述微凸起的底部的径向宽度为0.5~2 μm，高度为0.1~0.5 μm。
4. 根据权利要求2所述的复合衬底，其特征在于：相邻所...
【技术特征摘要】
1.一种复合衬底，包括层叠设置的衬底和图形化介质层，所述衬底的表面具有由至少一个微凸起和/或微凹槽形成的图形结构，所述图形化介质层连续覆设在所述衬底的表面，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于：所述图形结构包括多个微凸起，多个所述微凸起间隔分布，相邻所述微凸起之间形成所述微凹槽，其中，所述微凸起的径向宽度沿远离所述衬底的方向逐渐减小。
3. 根据权利要求2所述的复合衬底，其特征在于：所述微凸起的底部的径向宽度为0.5~2 μm，高度为0.1~0.5 μm。
4. 根据权利要求2所述的复合衬底，其特征在于：相邻所述微凸起之间的间距为0.1~1μm。
5.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于：所述第一介质层包括氧化硅层。
6. 根据权利要求1或5所述的复合衬底，其特征在于：所述第一介质层的厚度为10~100nm。
7.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于：所述第二介质层包括si-x-n层，x为o、s、p、f、cl中的任意一者。
8. 根据权利要求1或7所述的复合衬底，其特征在于：所述第二介质层的厚度为5~50nm。
9.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：闫其昂，王国斌，
申请(专利权)人：江苏第三代半导体研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。