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本发明公开了一种CFET的门电路器件结构与工艺，涉及半导体技术领域，包括衬底，所述衬底的顶部通过绝缘层包裹有并联连接的N沟道场效应管和P沟道场效应管；N沟道场效应管与P沟道场效应管共用相同的源极S，N沟道场效应管与P沟道场效应管共用相同的漏...
该专利属于上海集成电路制造创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路制造创新中心有限公司授权不得商用。

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