【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体封装,特别涉及一种具备高密度封装结构的uvled封装器件。
技术介绍
1、紫外发光二极管uv led所涉及的使用场景从小功率、器件结构分散复杂化逐渐快速发展为可在大功率使用条件下紫外器件的结构集成化轻型便携趋势,极大拓宽了uv led使用领域,尤其是多颗芯片集成式的大功率紫外封装器件,对光源的辐照面光斑均匀性以及其散热性的要求有所提高,现有大功率紫外封装器件通常采用多颗透镜对紫外线进行聚光提高辐照均匀性,但是分散隔开固定的多颗单独透镜之间距离较远使得辐照面仍存在较明显突变光斑、均匀性效果有所降低,以一定距离分散固定的透镜也使得器件结构空间较大且不利于安装使用,此外,透镜均是通过粘结胶固化固定,长时间的紫外线照射加速了粘结胶老化,尤为温度多变的多湿工作环境会导致粘结能力下降使得器件结构损坏较快,最终进而影响紫外器件的使用可靠性、稳定性等。
2、有鉴于此,本技术方案提出一种具备高密度封装结构的uv led封装器件,通过在封装件主体上开设的采用连通槽连通的各模组焊接位,使各个光源模组之间间隙减小,提升单位空间内的模
...【技术保护点】
1.一种具备高密度封装结构的UV LED封装器件,其特征在于,包括
2.根据权利要求1所述的具备高密度封装结构的UV LED封装器件,其特征在于,所述封装件主体还包括设置于所述电路层底部的基板,及设置于所述电路层另一侧的盖板。
3.根据权利要求2所述的具备高密度封装结构的UV LED封装器件,其特征在于,所述基板与所述电路层之间设有导热绝缘层。
4.根据权利要求1所述的具备高密度封装结构的UV LED封装器件,其特征在于,所述电路层表面一侧设有外接电极区。
5.根据权利要求1所述的具备高密度封装结构的UV LED封装器件
...【技术特征摘要】
1.一种具备高密度封装结构的uv led封装器件,其特征在于,包括
2.根据权利要求1所述的具备高密度封装结构的uv led封装器件,其特征在于,所述封装件主体还包括设置于所述电路层底部的基板,及设置于所述电路层另一侧的盖板。
3.根据权利要求2所述的具备高密度封装结构的uv led封装器件,其特征在于,所述基板与所述电路层之间设有导热绝缘层。
4.根据权利要求1所述的具备高密度封装结构的uv led封装器件,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:魏峰,李茂南,
申请(专利权)人:紫芯半导体深圳有限公司,
类型:新型
国别省市:
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