一种碳化硅晶体生长装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅晶体生长技术领域。碳化硅晶体生长装置包括第一坩埚、第二坩埚、围设件、称重组件及升降组件。称重组件与第二坩埚连接，升降组件通过称重组件与第二坩埚连接，升降组件用以带动第二坩埚相对第一坩埚、围设件在轴向上移动，以使第二围板与第一围板在轴向上具有预设间距，且能使充气孔通过充气腔与生长腔连通。第二坩埚内逐渐沉积碳化硅晶体的过程中，作业人员能够根据所测得的第二坩埚的重量变化计算得到第二坩埚内碳化硅晶体的生长速率，进而根据碳化硅晶体的生长速率来控制外部掺杂气源通入掺杂气体的速率，从而保证稳定的掺杂效果，以提高碳化硅晶体的生长质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碳化硅晶体生长，具体而言，涉及一种碳化硅晶体生长装置。

技术介绍

1、碳化硅(sic)晶体生长的掺杂是在晶体生长过程中有意添加少量杂质原子的过程，目的是为了改变材料的电学性质。掺杂可以控制碳化硅的导电类型(n型或p型)，这对于制造半导体器件至关重要。

2、经专利技术人研究发现，现有的碳化硅晶体生长装置在充入掺杂用的气体时，无法观测到晶体生长装置内的情况，气体充入的速率或掺入量只能根据经验进行调节，掺杂效果不佳，影响晶体质量。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种碳化硅晶体生长装置，其能够提高掺杂效果，进而提高晶体的质量。

2、本专利技术的实施例是这样实现的：

3、第一方面，本专利技术提供一种碳化硅晶体生长装置，包括：

4、第一坩埚，第一坩埚包括相连接的第一围板与底板，第一围板与底板限定出用于放置碳化硅粉料的容置腔；

5、第二坩埚，第二坩埚包括相连接的第二围板与顶板，第二围板与顶板共同限定出生长腔，生长腔与容置腔连通，顶板与底板本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

4.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

5.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

6.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

7.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

8.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

9.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

4.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

5.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：

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【专利技术属性】
技术研发人员：张忠辉，
申请(专利权)人：通威微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：