碳化硅功率半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种碳化硅功率半导体器件及其形成方法，碳化硅功率半导体器件包括形成于器件层中的至少两个源漏区，相邻的两个源漏区之间的器件层中形成有接触区，且源漏区靠近接触区的一侧壁呈台阶状，所述器件层上形成有介质层，所述介质层中具有一开口；第一欧姆接触层，第一欧姆接触层覆盖开口的底部的部分接触区；第二欧姆接触层，第二欧姆接触层填满接触孔，并覆盖第一欧姆接触层、源漏区靠近接触区的侧壁和部分顶表面。由于源漏区靠近接触区的一侧壁呈台阶状，同时开口中的第二侧墙层的底部与源漏区的顶表面之间具有接触孔，由此增加了第二欧姆接触层与源漏区之间的接触面积，从而可以降低第二欧姆接触层与源漏区之间的接触电阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，特别涉及一种碳化硅功率半导体器件及其形成方法。

技术介绍

1、在碳化硅功率半导体器件中，由于sic (碳化硅)具有高临界电场、高热导率以及高饱和漂移速率，因此碳化硅功率器件主要应用于电力设备电能变换和控制电路方面的大功率电子器件，随着碳化硅器件的设计尺寸逐渐缩小，制造的成本也不断的上升，传统碳化硅器件的形成过程中，源漏接触区上的开口的尺寸也在不断减小，目前的开口刻蚀工艺以及降低开口中的接触层的接触电阻都具有较大的难度，若通过增大开口的尺寸来降低接触层与源漏区之间的接触电阻，虽然可以达到降低接触电阻的目的，但会不可避免的增加输入电容，进而对开关速度产生不利影响，若采取提高注入浓度的方法，其效果也难以达到预期。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种碳化硅功率半导体器件及其形成方法，以降低接触层与源漏区之间的接触电阻。

2、为实现上述目的，本专利技术提供一种碳化硅功率半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有器件层，所述器件层中形成有至少两个源漏区，相邻的两个本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅功率半导体器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的碳化硅功率半导体器件，其特征在于，所述源漏区包括第一部分和第二部分，所述第二部分位于所述第一部分上，所述第二部分的宽度小于所述第一部分的宽度，且所述第一部分远离所述接触区的一侧壁与所述第二部分远离所述接触区的一侧壁对齐，所述第二部分靠近所述接触区的一侧暴露出所述第一部分的部分顶表面。

3.如权利要求1所述的碳化硅功率半导体器件，其特征在于，所述源漏区的导电类型为N型；所述接触区的导电类型为P型。

4.如权利要求1所述的碳化硅功率半导体器件，其特征在于，所述第一欧姆接触层的材质与所述...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅功率半导体器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的碳化硅功率半导体器件，其特征在于，所述源漏区包括第一部分和第二部分，所述第二部分位于所述第一部分上，所述第二部分的宽度小于所述第一部分的宽度，且所述第一部分远离所述接触区的一侧壁与所述第二部分远离所述接触区的一侧壁对齐，所述第二部分靠近所述接触区的一侧暴露出所述第一部分的部分顶表面。

3.如权利要求1所述的碳化硅功率半导体器件，其特征在于，所述源漏区的导电类型为n型；所述接触区的导电类型为p型。

4.如权利要求1所述的碳化硅功率半导体器件，其特征在于，所述第一欧姆接触层的材质与所述第二欧姆接触层的材质不同，其中，所述第一欧姆接触层的材质为铝硅化物、铂硅化物或钴硅化物，所述第二欧姆接触层的材质为镍硅化物或钛硅化物。

5.一种碳化硅功率半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

6....

【专利技术属性】
技术研发人员：吴健，
申请(专利权)人：杰平方半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：