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本发明提供一种碳化硅功率半导体器件及其形成方法，碳化硅功率半导体器件包括形成于器件层中的至少两个源漏区，相邻的两个源漏区之间的器件层中形成有接触区，且源漏区靠近接触区的一侧壁呈台阶状，所述器件层上形成有介质层，所述介质层中具有一开口；第一欧...
该专利属于杰平方半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杰平方半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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