【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
1、具有屏蔽栅的半导体器件中屏蔽栅与栅极之间有栅间介质层，栅间介质层通常由氧化硅等组成，栅间介质层的厚度与致密度决定了屏蔽栅与栅极的漏电流和栅间电容。
2、对于沟槽型屏蔽栅器件，其栅间介质层通常通过hdpcvd(high density plasmachemical vapor deposition，高密度等离子体化学气相沉积)工艺在沟槽中填充氧化硅并进行回刻蚀形成，或，通过一步成型工艺形成，也即，对多晶硅屏蔽栅进行热氧化形成栅间介质层。
3、hdpcvd工艺对填充前的深宽比有较高要求，对于高深宽比的沟槽结构，形成的栅间介质层中易出现孔洞，影响栅间介质层质量的稳定性，导致栅间漏电流和栅间电容增大，且需要形成额外的掩膜层，工艺复杂；而一步成型工艺形成的栅间介质层的最大厚度受到多晶硅屏蔽栅的热氧化厚度限制，容易出现厚度不足的情况，导致栅间漏电流和栅间电容增大，可靠性较差。
4、因此需要进行改进，以至少部分地解决上述问题。
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【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求3-5中任一项所述的制备方法，其特征在于，
7.根据权利要求3-5中任一项所述的制备方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
10.一...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求3-5中任一...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘长灵，袁家贵，王珏，
申请(专利权)人：芯联越州集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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