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本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：提供基底，在所述基底内形成沟槽，在所述沟槽内的下部空间形成屏蔽栅结构，其中，所述屏蔽栅结构包括屏蔽栅以及位于所述屏蔽栅和所述沟槽的内表面之间的第一栅介质层；在所述沟槽中形成具有一凹槽的...
该专利属于芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司授权不得商用。

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