封装结构制造技术

本技术提供一种封装结构，包括：塑封体，具有在第一方向上相对设置的第一表面以及第二表面；第一基岛，位于所述塑封体内，所述第一基岛具有芯片放置区以及位于所述芯片放置区外周的插槽；芯片，设置在所述第一基岛背离所述塑封体的第一表面的一面，且位于所述芯片放置区；桥型导热件，位于所述塑封体内，所述桥型导热件横跨所述芯片，且两端分别插入所述插槽，所述桥型导热件的桥面暴露于所述塑封体的第二表面，所述桥型导热件的两端分别插入所述插槽，使得所述桥型导热件能够与所述第一基岛接触，所述芯片的热量可自所述第一基岛传导至所述桥型导热件，并通过所述桥型导热件散出，提高了封装结构的散热性能。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体封装，尤其涉及一种封装结构。

技术介绍

1、qfn(quad flat no-lead)/dfn(dual flat no-lead package)封装是一种先进的封装形式，它具有小体积、高密度、热导性好等优点，被广泛应用于集成电路封装领域。

2、传统的qfn/dfn的散热通道比较单一，由于只能依靠位于封装底部中央的基岛的背面来散热，且其散热面积较小，因此散热速度较慢；为改善这种现象，业界推出了反向qfn/dfn(reverse qfn/dfn)。reverse qfn/dfn通过把基岛和外引脚设置在塑封体相对的两个表面，使得基岛可以向上进行散热，但是其散热通道也比较单一。另外其内引脚为架空结构，在打线作业时容易因抖动造成作业异常或者焊点结合不良。

3、因此，如何改善qfn/dfn封装结构的散热性能，成为目前亟需解决的技术问题之一。

技术实现思路

1、本技术所要解决的技术问题是，如何改善封装结构的散热性能。

2、为了解决上述问题，本技术提供了一种封装结构，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述桥型导热件包括：

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述导热桥沿第二方向延伸，在第三方向上，所述第二基岛的宽度大于所述导热桥的宽度，其中，所述第二方向垂直所述第一方向，所述第三方向分别与所述第一方向以及所述第二方向垂直。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第二基岛在所述第一基岛上的正投影覆盖所述导热桥在所述第一基岛上的正投影。

5.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，在垂直所述导热桥延伸的方向上，所述导热桥的宽度小于所述...

【技术特征摘要】

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述桥型导热件包括：

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述导热桥沿第二方向延伸，在第三方向上，所述第二基岛的宽度大于所述导热桥的宽度，其中，所述第二方向垂直所述第一方向，所述第三方向分别与所述第一方向以及所述第二方向垂直。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第二基岛在所述第一基岛上的正投影覆盖所述导热桥在所述第一基岛上的正投影。

5.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，在垂直所述导热桥延伸的方向上，所述导热桥的宽度小于所述芯片的宽度，且所述芯片用于与引脚连接的焊盘位于所述导热桥在所述第一基岛上的正投影之外。

6.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述导热桥的部分上表面与所述第二基岛的底面通过导热型导电胶连接。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述桥型导热件包括：

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【专利技术属性】
技术研发人员：刘恺，
申请(专利权)人：长电科技管理有限公司，
类型：新型
国别省市：