单晶硅片、单晶硅片的绒面制备方法及太阳能电池技术

本发明专利技术适用于光伏技术领域，提供了单晶硅片、单晶硅片的绒面制备方法及太阳能电池，该单晶硅片包括：相对的两个表面，所述两个表面中的至少一个表面具有绒面结构；所述绒面结构包括：若干个类棱锥结构，所述类棱锥结构环绕有多层凹面纹理，所述类棱锥结构的侧棱形状为连续多段向内凹入的弧形或者向内凹入的角形中的一种或多种。本发明专利技术提供的单晶硅片、单晶硅片的绒面制备方法及太阳能电池，将单晶硅片的至少一个表面上的绒面结构设置为环绕多层凹面纹理的类棱锥结构，可以降低太阳光的反射率，增加光吸收。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光伏，尤其涉及一种单晶硅片、单晶硅片的绒面制备方法及太阳能电池。

技术介绍

1、在单晶硅太阳能电池的生产工艺中，制绒是必不可少的一个重要步骤。单晶硅制绒是在单品硅片的表面进行织构化处理，最常用的方法是碱刻蚀，在单晶硅片的表面形成密布且光滑的绒面金字塔结构。而光滑的绒面金字塔结构的反射率较高，不能完全利用太阳光，使得太阳能电池的光电转换效率较低。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种单晶硅片、单晶硅片的绒面制备方法及太阳能电池，旨在解决单晶硅片表面形成的金字塔结构反射率较高的问题。

2、本专利技术提供一种单晶硅片，包括：相对的两个表面，所述两个表面中的至少一个表面具有绒面结构；

3、所述绒面结构包括：若干个类棱锥结构，所述类棱锥结构环绕有多层凹面纹理，所述类棱锥结构的侧棱形状为连续多段向内凹入的弧形或者向内凹入的角形中的一种或多种。

4、在一些实施例中，所述类棱锥结构包括：至少1个锥顶、至少4个侧棱和至少4个侧面；每个所述侧面包括至少3层凹面纹理，所述类棱锥结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单晶硅片，其特征在于，包括：相对的两个表面，所述两个表面中的至少一个表面具有绒面结构；

2.根据权利要求1所述的单晶硅片，其特征在于，所述类棱锥结构包括：至少1个锥顶、至少4个侧棱和至少4个侧面；每个所述侧面包括至少3层凹面纹理，所述类棱锥结构的锥角在39°～62°之间，所述类棱锥结构的直径在550nm～3μm之间，所述类棱锥结构的高度在850nm～2.2μm之间。

3.根据权利要求1或2所述的单晶硅片，其特征在于，所述凹面纹理的层数随绒面修饰的时间的增加而减少，所述凹面纹理的曲率随所述绒面修饰的时间的增加而增大，所述类棱锥结构的高度随绒面修饰的时间的增加...

【技术特征摘要】

1.一种单晶硅片，其特征在于，包括：相对的两个表面，所述两个表面中的至少一个表面具有绒面结构；

2.根据权利要求1所述的单晶硅片，其特征在于，所述类棱锥结构包括：至少1个锥顶、至少4个侧棱和至少4个侧面；每个所述侧面包括至少3层凹面纹理，所述类棱锥结构的锥角在39°～62°之间，所述类棱锥结构的直径在550nm～3μm之间，所述类棱锥结构的高度在850nm～2.2μm之间。

3.根据权利要求1或2所述的单晶硅片，其特征在于，所述凹面纹理的层数随绒面修饰的时间的增加而减少，所述凹面纹理的曲率随所述绒面修饰的时间的增加而增大，所述类棱锥结构的高度随绒面修饰的时间的增加而降低。

4.一种单晶硅片的绒面制备方法，其特征在于，用于制作权利要求1-3任一项所述的单晶硅片，所述方法包括：

5.根据权利要求4所述的单晶硅片的绒面制备方法，其特征在于，所述进行腐蚀处理的温度为50℃-90℃，所述进行腐蚀处理的时间为300s-1200s；所述进行绒面修饰的温度为50℃-90℃，所述进行绒面修饰的时间为20s-300s。

6.根据权利要求4所述的单晶硅片的绒面制备方法，其特征在于，在所述第一碱性...

【专利技术属性】
技术研发人员：于天水，董必亮，林鹏飞，陈辉，王永谦，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：