System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种氧化铝复合膜层及其在太阳能电池中的应用制造技术_技高网

一种氧化铝复合膜层及其在太阳能电池中的应用制造技术

技术编号:43846887 阅读:14 留言:0更新日期:2024-12-31 18:40
本发明专利技术涉及一种优异的ALD镀膜工艺,使用TMA+H2O+O3作为生长源,在基片上生长氧化铝膜层,与现有技术中以TMA+O3或TMA+H2O为生长源生长氧化铝膜层相比,不仅保留了TMA+H2O生长速率快的特点;而且在生长过程中O3作为辅助源通入腔体,O3能够与薄膜中‑CH3发生反应,最终反应为H2O+CO2,并通过吹扫气体吹扫带出,从而可以有效降低膜层电阻率,改善钝化作用,进而提升电池的转换效率;同时本发明专利技术的工艺可以在同一腔室中反应实现,具有操作简单,成本低的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池,尤其是涉及一种氧化铝复合膜层及其在太阳能电池中的应用


技术介绍

1、提高硅基太阳能电池的效率是人们目前面临的主要问题。表面钝化则是提高硅基太阳能电池效率的一种方法,在众多的钝化膜材料中,al2o3由于其界面处存在的大量固定负电荷和低的界面态密度,认为是太阳能电池天然的表面钝化材料,获取更高效的电池在钝化效果上提出了更高的要求。

2、但是现有技术制备氧化铝都是使用单一氧源,例如使用tma和h2o或tma和o3制备,但是单一氧源制备氧化铝薄膜的缺点较多:比如tma和h2o制备的氧化铝薄膜,由于水的氧化性较弱,氧化铝薄膜的电阻率相对tma和o3制备的氧化膜薄膜较高;而tma和o3制备的氧化铝薄膜的沉积速率相对tma和h2o沉积速率较慢。

3、因此,有必要提供一种新的技术方案以克服上述缺陷。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种可有效解决上述技术问题的优异的ald镀膜工艺。

2、为达到本专利技术之目的,采用如下技术方案:

3、一种优异的ald镀膜工艺,该工艺以tma+h2o+o3作为生长源,在基片上生长氧化铝膜层。

4、优选的,采用该工艺在基片上生长氧化铝膜层的步骤为:

5、(1)将生长基片送入沉积设备的腔体内,并控制腔体温度为170-250℃;

6、(2)采用交替脉冲的方式以tma+h2o为生长源在生长基片表面生长氧化铝;每一个循环中气体通入的顺序为tma气体、吹扫气体、h2o蒸发气体、吹扫气体;

7、(3)每一个循环结束后或若干个循环结束后,将辅助气体o3通入腔体内,最后再通入吹扫气体进行吹扫tma的。

8、优选的,所述步骤(2)的每一个循环中tma的流量为10-30sccm,脉冲时长为1-5s,吹扫时长为4-9s。

9、优选的,所述步骤(2)的每一个循环中h2o的流量为10-30sccm,脉冲时长为3-10s,吹扫时长为6-12s。

10、优选的,所述步骤(3)中单次辅助源o3的流量为10-30sccm,脉冲时长为3-20s,吹扫时长为5-20s。

11、优选的,所述吹扫气体为惰性气体。

12、与现有技术相比,本专利技术具有如下有益效果:

13、本专利技术利用ald(原子层沉积)工艺在硅片表面制备的al2o3薄膜,使用tma+h2o+o3作为生长源,在基片上生长氧化铝膜层,与现有技术中以tma+o3或tma+h2o为生长源生长氧化铝膜层相比,不仅保留了tma+h2o生长速率快的特点;而且在生长过程中o3作为辅助源通入腔体,o3能够与薄膜中-ch3发生反应,最终反应为h2o+co2,并通过吹扫气体吹扫带出,从而可以有效降低膜层电阻率,改善钝化作用,进而提升电池的转换效率;同时本专利技术的工艺可以在同一腔室中反应实现,具有操作简单,成本低的优点。

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【技术保护点】

1.一种氧化铝复合膜层,其特征在于,所述氧化铝复合膜层的制备方法如下:

2.根据权利要求1所述的一种氧化铝复合膜层,其特征在于:步骤(3)中吹扫时长为5-20s。

3.根据权利要求1所述的一种氧化铝复合膜层,其特征在于:所述吹扫气体为惰性气体。

4.权利要求1-3任一项所述氧化铝复合膜层在太阳能电池中的应用。

【技术特征摘要】

1.一种氧化铝复合膜层,其特征在于,所述氧化铝复合膜层的制备方法如下:

2.根据权利要求1所述的一种氧化铝复合膜层,其特征在于:步骤(3)中吹扫时长为5-20s。...

【专利技术属性】
技术研发人员:欧文凯
申请(专利权)人:普乐新能源科技泰兴有限公司
类型:发明
国别省市:

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