掩埋异质结结构及其制备方法、激光器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种掩埋异质结结构的制备方法，包括如下步骤：S1，在衬底上生长外延结构，并在外延结构上生长掩膜层；S2，刻蚀外延结构至衬底；S3，利用氢氟酸溶液或缓冲氢氟酸溶液处理掩膜层，使得掩膜层厚度变薄，并在InP间隔层与掩膜层的连接处产生掩膜层的屋檐结构；S4，在处理的过程中，控制屋檐结构的深度和高度；S5，处理完毕后，继续生长P‑InP层、N‑InP层、InP盖层以及接触层，完成掩埋异质结结构的制作。还提供一种掩埋异质结结构、一种激光器的制备方法以及一种激光器。本发明专利技术的通过调节氢氟酸溶液或缓冲氢氟酸溶液的浓度，或者调节氢氟酸溶液或缓冲氢氟酸溶液的腐蚀时间，以控制屋檐结构的深度和高度，从而调节载流子注入密度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光通信，具体为一种掩埋异质结结构及其制备方法、激光器及其制备方法。

技术介绍

1、随着高速光通讯的发展，对通信的激光源提出了更高的要求。相较于fp(fabry-perot)激光器，dfb(distributed feedback)激光器具有良好的模式选择能力，可以实现更窄的线宽。

2、目前dfb激光器主要有两种结构，rwg(ridge waveguide)脊波导结构和bh(buriedheterojunction)掩埋异质结结构。与传统的rwg结构相比，bh结构一方面能够通过掩埋低折射率的材料对有源层进行光限制，另一方面掩埋生长的pn反向电流阻挡层对有源层进行载流子的限制，从而对远场发散角有一定的优势。随着芯片和外延工艺的发展和优化，人们更倾向于对电场和光限制作用更好的bh结构激光器。目前bh结构激光器有2个急需解决的问题：一是如何提高激光器效率，增加有源区载流子注入密度，传统的方法可以通过减小有源层宽度来实现，但是减小有源层宽度会改变光场分布，出现模式不稳定，光束不对称等缺点；二是如何减少漏电，见图7，传统的电流限制层，电流会从本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种掩埋异质结结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的掩埋异质结结构的制备方法，其特征在于：所述外延结构包括依次生长InP缓冲层、光栅层、光栅掩埋层、有源层、InP间隔层，或者外延结构还包括依次生长InP缓冲层、有源层、光栅层、光栅掩埋层、InP间隔层；在所述S2步骤中，先采用干法刻蚀无掩膜区域到所述InP缓冲层，再采用湿法腐蚀无掩膜区域到所述衬底。

3.如权利要求1所述的掩埋异质结结构的制备方法，其特征在于：所述掩膜层的厚度为20～1000nm。

4.如权利要求1所述的掩埋异质结结构的制备方法，其特征在于：所述掩膜层为S...

【技术特征摘要】

1.一种掩埋异质结结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的掩埋异质结结构的制备方法，其特征在于：所述外延结构包括依次生长inp缓冲层、光栅层、光栅掩埋层、有源层、inp间隔层，或者外延结构还包括依次生长inp缓冲层、有源层、光栅层、光栅掩埋层、inp间隔层；在所述s2步骤中，先采用干法刻蚀无掩膜区域到所述inp缓冲层，再采用湿法腐蚀无掩膜区域到所述衬底。

3.如权利要求1所述的掩埋异质结结构的制备方法，其特征在于：所述掩膜层的厚度为20～1000nm。

4.如权利要求1所述的掩埋异质结结构的制备方法，其特征在于：所述掩膜层为sio2掩膜层或者sinx掩膜层。

5.如权利要求1所述的掩埋异质结结构的制备方法，其特征在于：在所述s5步骤中，生长的n-inp层的高度在所述in...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鸿建，郭娟，
申请(专利权)人：武汉云岭光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：