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本发明涉及一种掩埋异质结结构的制备方法，包括如下步骤：S1，在衬底上生长外延结构，并在外延结构上生长掩膜层；S2，刻蚀外延结构至衬底；S3，利用氢氟酸溶液或缓冲氢氟酸溶液处理掩膜层，使得掩膜层厚度变薄，并在InP间隔层与掩膜层的连接处产生掩...
该专利属于武汉云岭光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉云岭光电股份有限公司授权不得商用。

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