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用于宽带亚太赫兹通信的位于III-V族材料中的放大器和混频器制造技术

技术编号:43845272 阅读:28 留言:0更新日期:2024-12-31 18:39
本文的实施例涉及针对用于宽带亚太赫兹通信的封装的系统、设备或过程,其中,该封装包括被实施在III‑V族材料层内的混频器和放大器,例如功率放大器或低噪声放大器。可以描述和/或要求保护其他实施例。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例总体上涉及封装组件领域,并且具体而言,涉及包括宽带通信电路系统的封装组件。


技术介绍

1、诸如智能电话和超级本的移动电子装置的最终产品尺寸的不断减小,是包括宽带无线通信的集成电路封装的发展的驱动力。


技术实现思路

【技术保护点】

1.一种设备,包括:

2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述放大器是如下各项中的选定一者:低噪声放大器或功率放大器。

3.根据权利要求1或2所述的设备,还包括所述层中的IQ相生成器,其中,所述IQ相生成器和所述混频器彼此电耦合。

4.根据权利要求3所述的设备,还包括所述层中的频率倍增器,其中,所述倍增器和所述IQ相生成器彼此电耦合。

5.根据权利要求1或2所述的设备,其中,所述混频器是第一混频器,其中,所述放大器是第一放大器,并且其中,所述第一放大器是功率放大器;并且所述设备还包括:

6.根据权利要求1或2所述的设备,其中,所...

【技术特征摘要】

1.一种设备,包括:

2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述放大器是如下各项中的选定一者:低噪声放大器或功率放大器。

3.根据权利要求1或2所述的设备,还包括所述层中的iq相生成器,其中,所述iq相生成器和所述混频器彼此电耦合。

4.根据权利要求3所述的设备,还包括所述层中的频率倍增器,其中,所述倍增器和所述iq相生成器彼此电耦合。

5.根据权利要求1或2所述的设备,其中,所述混频器是第一混频器,其中,所述放大器是第一放大器,并且其中,所述第一放大器是功率放大器;并且所述设备还包括:

6.根据权利要求1或2所述的设备,其中,所述放大器与天线电耦合。

7.根据权利要求1或2所述的设备,其中,所述层位于如下各项中的选定一者内:芯片或管芯。

8.一种用于宽带通信的系统,所述系统包括:

9.根据权利要求8所述的系统,其中,所述放大器是如下各项中的选定一者:功率放大器或低噪声放大器,并且其中,所述基带电路系统是如下各项中的选定一者:发射器基带电路系统或接收器基带电路系统。

10.根据权利要求8或9所述的系统,其中,所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:G·帕纳格波罗斯S·卡伦德R·盖格尔G·C·多吉阿米斯M·杜塔S·佩莱拉诺
申请(专利权)人:英特尔公司
类型:发明
国别省市:

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